1 |
1
공정 챔버 후단의 진공 배기관에 설치되며, 상기 진공 배기관의 공정 가스를 분석하여 공정 모니터링을 수행하는 플라즈마 반응기에 있어서,상기 진공 배기관의 외측에 위치하는 관형의 유전체;상기 유전체의 일측 단부에 결합되며, 측면에 접속된 제1 포트에 의해 상기 진공 배기관에 연결되고, 단부에 결합된 시창구를 포함하는 유전체 홀더;상기 유전체 홀더의 내부에서 상기 제1 포트보다 상기 유전체로부터 더 멀리 위치하고, 상기 시창구와 접하며, 상기 유전체의 내경보다 작은 내경을 가지는 관형의 스페이서;상기 유전체의 타측 단부에 결합되며, 측면에 접속된 제2 포트에 의해 상기 진공 배기관에 연결되는 접지 전극; 및상기 유전체의 외면에 위치하고, 전원으로부터 플라즈마 발생을 위한 구동 전압을 인가받는 고전압 전극;을 포함하는 플라즈마 반응기
|
2 |
2
공정 챔버 후단의 진공 배기관에 설치되며, 상기 진공 배기관의 공정 가스를 분석하여 공정 모니터링을 수행하는 플라즈마 반응기에 있어서,상기 진공 배기관의 외측에 위치하는 관형의 유전체;상기 유전체의 일측 단부에 결합되며, 측면에 접속된 제1 포트에 의해 상기 진공 배기관에 연결되고, 단부에 결합된 시창구를 포함하는 유전체 홀더;상기 시창구 및 상기 유전체의 단부 모두와 접하도록 상기 유전체 홀더의 내부를 채우고, 상기 유전체의 내부 공간에 대해 상기 시창구의 일부를 개방시키는 제1 개구와, 상기 제1 포트와 상기 제1 개구를 통하게 하는 제2 개구를 구비하는 스페이서;상기 유전체의 타측 단부에 결합되며, 측면에 접속된 제2 포트에 의해 상기 진공 배기관에 연결되는 접지 전극; 및상기 유전체의 외면에 위치하고, 전원으로부터 플라즈마 발생을 위한 구동 전압을 인가받는 고전압 전극;을 포함하며,상기 제1 개구의 직경은 상기 유전체의 내경보다 작은 플라즈마 반응기
|
3 |
3
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 유전체 홀더는 상기 유전체와 동일한 관형이고,상기 유전체 홀더의 내경은 상기 유전체의 내경보다 크며,상기 제1 포트와 상기 제2 포트 각각의 내경은 상기 진공 배기관 내경의 절반 이하인 플라즈마 반응기
|
4 |
4
제3항에 있어서,상기 제1 포트는 공정 가스의 상류측에 위치하는 유입 포트이고,상기 제2 포트는 공정 가스의 하류측에 위치하는 배출 포트이며,상기 진공 배기관을 흐르는 공정 가스의 일부는 상기 유전체 홀더와 상기 유전체 및 상기 접지 전극의 내부를 순차적으로 관통하여 흐르는 플라즈마 반응기
|
5 |
5
제3항에 있어서,상기 제2 포트는 공정 가스의 상류측에 위치하는 유입 포트이고,상기 제1 포트는 공정 가스의 하류측에 위치하는 배출 포트이며,상기 진공 배기관을 흐르는 공정 가스의 일부는 상기 접지 전극과 상기 유전체 및 상기 유전체 홀더의 내부를 순차적으로 관통하여 흐르는 플라즈마 반응기
|
6 |
6
삭제
|
7 |
7
삭제
|
8 |
8
제2항에 있어서,상기 제1 개구는 상기 시창구 측에 위치하는 균일 직경부와, 상기 유전체 측에 위치하는 가변 직경부로 구성되며,상기 가변 직경부의 직경은 상기 시창구로부터 멀어질수록 커지고,상기 제2 개구는 상기 균일 직경부와 통하는 플라즈마 반응기
|
9 |
9
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 접지 전극은 상기 유전체와 가까운 측의 플라즈마 집중부와, 상기 유전체와 먼 측의 포트 결합부를 포함하고,상기 플라즈마 집중부의 내부 공간은 균일 직경부와, 상기 균일 직경부보다 상기 유전체로부터 더 멀리 위치하면서 상기 유전체로부터 멀어질수록 직경이 작아지는 가변 직경부로 구성되는 플라즈마 반응기
|
10 |
10
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 접지 전극의 내부에서 상기 유전체의 내부 공간과 마주하며 접지 전위를 유지하는 판형의 대향부를 더 포함하는 플라즈마 반응기
|
11 |
11
제10항에 있어서,상기 대향부는 적어도 두 개의 지지체에 의해 상기 접지 전극의 내벽에 고정되고, 상기 지지체와 연결되지 않은 가장자리에서 상기 접지 전극의 내벽과 이격되는 플라즈마 반응기
|
12 |
12
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 고전압 전극은 상기 유전체의 둘레 방향을 따라 상기 유전체를 연속으로 둘러싸는 관형 전극이고, 상기 전원으로부터 교류(AC) 전압 또는 고주파(RF) 전압을 인가받는 플라즈마 반응기
|
13 |
13
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 고전압 전극은 상기 유전체의 길이 방향을 따라 서로 이격된 제1 고전압 전극과 제2 고전압 전극을 포함하고,상기 제1 고전압 전극과 상기 제2 고전압 전극은 상기 전원으로부터 바이폴라 펄스 전압을 인가받는 플라즈마 반응기
|
14 |
14
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 고전압 전극은 상기 유전체의 둘레 방향을 따라 서로 이격된 제1 고전압 전극과 제2 고전압 전극을 포함하고,상기 제1 고전압 전극과 상기 제2 고전압 전극은 상기 전원으로부터 바이폴라 펄스 전압을 인가받는 플라즈마 반응기
|
15 |
15
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 유전체의 외면에서 상기 고전압 전극과 상기 접지 전극 사이에 위치하며, 상기 고전압 전극과 이격된 보조 접지 전극을 더 포함하는 플라즈마 반응기
|