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구리 전극을 신축시키려는 목표치에 맞춰, 기판에 대한 프리스트레칭 비율을 결정하는 단계 -상기 기판은, 10% 내지 40%의 비율로 미리 늘일 수 있는 PDMS 기판임-;상기 프리스트레칭 비율에 따라, 상기 기판을 늘인 상태로 활성화하는 단계;헬륨(He) 플라즈마를, 상기 늘인 상태의 기판의 표면에 주입하여 플라즈마 처리 공정을 실시하는 단계;상기 헬륨(He) 플라즈마에 의한 플라즈마 처리 공정이 완료되면, 상기 기판에 구리(Cu)를 증착시켜, 상기 구리 전극을 제작하는 단계;상기 기판을 늘인 상태로 활성화한 후, 상기 헬륨(He) 플라즈마에 의한 플라즈마 처리 공정을 실시하는 시간이, 설정된 시간격을 넘는 경우, 상기 늘인 상태를 비활성화하는 단계; 및상기 기판에 대한 프리스트레칭 비율을 재결정하는 단계를 포함하는 구리 전극 제작 방법
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제1항에 있어서,상기 구리 전극을 제작하는 단계는,쉐도우 마스크(shadow mask) 기법 및 포토리소그래피(photolithography) 기법 중 적어도 하나의 기법을 적용하여, 상기 구리(Cu)를 증착시키는 패터닝 공정을 실시하는 단계; 및상기 패터닝 공정이 완료되면, 상기 늘인 상태를 비활성화하는 단계를 포함하는 구리 전극 제작 방법
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제1항에 있어서,복수의 기판을 이용하여 상기 신축시키려는 목표치가 동일한 복수의 구리 전극을 제작하는 경우,상기 결정된 프리스트레칭 비율을, 상기 복수의 기판 각각이 갖는 기판 사양에 따라 조정하는 단계를 더 포함하는 구리 전극 제작 방법
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제1항에 있어서,상기 구리 전극에 가하는 압박(strain)을 단계적으로 증가시켜, 상기 압박에 대해 상기 구리 전극이 늘어나는 길이를 측정하는 단계; 및상기 길이가, 데이터베이스에 기록된 최대 인장 길이 보다 작으면, 상기 프리스트레칭 비율을 낮추는 조정을 하는 단계를 더 포함하는 구리 전극 제작 방법
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제7항에 있어서,상기 조정을 하는 단계는,상기 구리 전극의 표면에 크랙이 발생된 경우 상기 프리스트레칭 비율을 낮추는 단계를 포함하는 구리 전극 제작 방법
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구리 전극에 대한 목표 인장율이 설정 됨에 따라,상기 목표 인장율을 고려하여 결정되는 프리스트레칭 비율로, 기판을 늘이는 제1 공정을 실시하는 단계;상기 제1 공정을 실시하는 동안, 상기 기판을 플라즈마 처리하는 제2 공정을 실시하는 단계;상기 제2 공정이 완료되면, 구리(Cu) 금속을 증착해 패터닝하는 제3 공정을 실시하여, 상기 구리 전극을 제작하는 단계; 및상기 구리 전극에 대한 인장 성능 및 크랙 발생 여부에 따라 재설정되는 목표 인장율에 맞춰, 상기 프리스트레칭 비율을 조정하는 단계를 포함하는 구리 전극 제작 방법
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제10항에 있어서,상기 구리 전극을 제작하는 단계는,상기 제3 공정이 완료되면 상기 제1 공정을 중단하여, 외부로부터 가해지는 압박에 대해, 상기 목표 인장율에 따른 최대 길이 만큼 신축 가능한 상기 구리 전극을 제작하는 단계를 포함하는 구리 전극 제작 방법
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구리 전극을 신축시키려는 목표치에 맞춰, 기판에 대한 프리스트레칭 비율을 결정하는 비율 결정부 -상기 기판은, 10% 내지 40%의 비율로 미리 늘일 수 있는 PDMS 기판임-;상기 프리스트레칭 비율에 따라, 상기 기판을 늘인 상태로 활성화하는 제1 공정 처리부;헬륨(He) 플라즈마를, 상기 늘인 상태의 기판의 표면에 주입하여 플라즈마 처리 공정을 실시하는 제2 공정 처리부; 및상기 헬륨(He) 플라즈마에 의한 플라즈마 처리 공정이 완료되면, 상기 기판에 구리(Cu)를 증착시켜, 상기 구리 전극을 제작하는 제3 공정 처리부를 포함하고,상기 제1 공정 처리부는,상기 기판을 늘인 상태로 활성화한 후, 상기 헬륨(He) 플라즈마에 의한 플라즈마 처리 공정을 실시하는 시간이, 설정된 시간격을 넘는 경우, 상기 늘인 상태를 비활성화하고, 상기 기판에 대한 프리스트레칭 비율을 재결정하는구리 전극 제작 시스템
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