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열전 마이크로 슈퍼커패시터 통합 디바이스 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2019015803
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 상이한 두 개의 열원 사이에 개재되고 기판 상부에 배치되는 n 타입이나 p 타입 반도체로 이루어지는 열전채널을 구비하는 열전 단위체를 포함하는 열전발전모듈과, 상기 열전발전모듈과 연동하고 상기 열전채널을 통하여 포텐셜 차이가 형성되는 컬렉터 전극을 구비하는 마이크로 슈퍼커패시터모듈을 포함하는 열전 마이크로 슈퍼커패시터 통합 디바이스를 제공한다.
Int. CL H01G 11/08 (2013.01.01) H01G 11/26 (2013.01.01) H01L 35/28 (2006.01.01)
CPC H01G 11/08(2013.01) H01G 11/08(2013.01) H01G 11/08(2013.01) H01G 11/08(2013.01)
출원번호/일자 1020180012419 (2018.01.31)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2114196-0000 (2020.05.18)
공개번호/일자 10-2019-0093007 (2019.08.08) 문서열기
공고번호/일자 (20200617) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.01.31)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상식 서울특별시 강남구
2 조경아 서울특별시 광진구
3 양경환 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 홍동우 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, * 층 (역삼동, 혜천빌딩)(지혜안국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2018-0112483-02
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0228505-31
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2019-0339138-12
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.04.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0339139-57
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0456493-18
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.08.26 수리 (Accepted) 1-1-2019-0872729-98
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.09.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0986978-34
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.09.26 수리 (Accepted) 1-1-2019-0986977-99
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.09.26 무효 (Invalidation) 1-1-2019-0986976-43
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
11 보정요구서
Request for Amendment
2019.10.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0162423-17
12 [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Reduction of Designated Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2019.10.14 수리 (Accepted) 1-1-2019-1043723-26
13 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation
2019.10.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0167608-17
14 등록결정서
Decision to grant
2020.02.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0127337-90
15 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
2020.06.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-5015017-38
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상이한 두 개의 열원 사이에 개재되고 기판 상부에 배치되는 n 타입이나 p 타입 반도체로 이루어지는 열전채널을 구비하는 열전 단위체를 포함하는 열전발전모듈과, 상기 열전발전모듈과 연동하고 상기 열전채널을 통하여 포텐셜 차이가 형성되는 컬렉터 전극을 구비하는 마이크로 슈퍼커패시터모듈을 포함하는 열전 마이크로 슈퍼커패시터 통합 디바이스로서,상기 열전발전모듈의 상기 열전 단위체는: 상기 기판 측으로 상기 두 개의 열원 중 고온 측에 배치되는 고온 전극과, 상기 기판 측으로 상기 두 개의 열원 중 저온 측으로 상기 고온 전극과 이격되어 두 개가 배치되는 저온 전극과, 상기 고온 전극과 상기 저온 전극을 연결시키는 p 타입 반도체로 이루어지는 p 타입 열전채널과, 상기 고온 전극과 상기 저온 전극을 연결시키고 상기 p 타입 열전채널과 이격 배치되고 n 타입 반도체로 이루어지는 n 타입 열전채널을 포함하고, 상기 마이크로 슈퍼커패시터모듈은 상기 저온 전극의 양단 측에 각각 연결되는 것을 특징으로 하는 열전 마이크로 슈퍼커패시터 통합 디바이스
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서, 상기 컬렉터 전극은 일단이 각각 상기 저온 전극에 연결되고, 서로 이격 배치되고, 상기 마이크로 슈퍼커패시터모듈은:일단이 상기 컬렉터 전극과 연결되고 서로 이격 대향 배치되는 슈퍼커패시터 컬렉터와, 상기 슈퍼커패시터 컬렉터 상에 배치되는 유전체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 열전 마이크로 슈퍼커패시터 통합 디바이스
5 5
제 4항에 있어서, 상기 기판의 수직 방향으로 볼 때, 상기 슈퍼커패시터 컬렉터는 상기 저온 전극 및 상기 고온 전극 상부에 적층 배치되는 것을 특징으로 하는 열전 마이크로 슈퍼커패시터 통합 디바이스
6 6
제 5항에 있어서, 상기 슈퍼커패시터 컬렉터 상에는 rGO(reduced graphene oxide) 활성 전극이 구비되는 것을 특징으로 하는 열전 마이크로 슈퍼커패시터 통합 디바이스
7 7
제 6항에 있어서, 상기 슈퍼커패시터 컬렉터, 상기 rGO 활성 전극 및 상기 유전체 층은 복수 적층 배치되고, 상기 슈퍼커패시터 컬렉터는 수직 적층 연결되는 것을 특징으로 하는 열전 마이크로 슈퍼커패시터 통합 디바이스
8 8
제 7항에 있어서, 상기 열전 단위체는 복수 개가 연속 이격 배치되고, 상기 열전 단위체에 대한 상기 슈퍼커패시터 컬렉터를 연결하는 연결 컬렉터가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 열전 마이크로 슈퍼커패시터 통합 디바이스
9 9
제 1항에 있어서, 상기 열전 단위체는 복수개의 저온 전극, 고온 전극, p 타입 열전채널 및 n 타입 열전채널이 직렬 연결되도록 구비되는 것을 특징으로 하는 열전 마이크로 슈퍼커패시터 통합 디바이스
10 10
상이한 두 개의 열원 사이에 개재되고 기판 상부에 배치되는 n 타입이나 p 타입 반도체로 이루어지는 열전채널을 구비하는 열전 단위체를 포함하는 열전발전모듈과, 상기 열전발전모듈과 연동하고 상기 열전채널을 통하여 포텐셜 차이가 형성되는 컬렉터 전극을 구비하는 마이크로 슈퍼커패시터모듈을 포함하는 열전 마이크로 슈퍼커패시터 통합 디바이스로서, 상기 열전발전모듈의 상기 열전 단위체는:상기 두 개의 열원 사이에 배치되는 n 타입 반도체로 이루어지는 n 타입 열전채널을 포함하고, 상기 마이크로 슈퍼커패시터모듈은 상기 컬렉터 전극과 상기 n 타입 열전채널 사이에 개재되는 유전체층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열전 마이크로 슈퍼커패시터 통합 디바이스
11 11
제 10항에 있어서, 상기 마이크로 슈퍼커패시터모듈은, 상기 n 타입 열전채널과 상기 유전체층 사이에 배치되는 rGO(reduced graphene oxide) 활성 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 열전 마이크로 슈퍼커패시터 통합 디바이스
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순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20190237509 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2019237509 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.