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투명 재질의 하부 기판;하부 기판 위에 형성된 투명전도성산화물 재질의 하부 투명 전극층;상기 하부 투명 전극층 위에 분산된 금속 나노입자;금속 나노입자가 분산된 하부 투명 전극 위에 형성되어 후면재결합을 방지하는 산화갈륨 재질의 패시베이션층; 상기 패시베이션층 위에 형성된 CIGS계 재질의 광흡수층;상기 광흡수층 위에 형성된 상부 버퍼층; 및상기 상부 버퍼층 위에 형성된 상부 투명 전극층을 포함하여 구성되며,입경이 2~50nm 범위인 금속 나노입자가 상기 하부 투명 전극층 표면의 10% 이하를 덮도록 분산됨으로써, 상기 광흡수층은 상기 패시베이션층의 표면에 노출된 금속 나노입자에 접촉하여 로컬라이즈드 컨택을 형성한 것을 특징으로 하는 산화갈륨 패시베이션층이 삽입된 고효율 양면 투광형 CIGS계 태양전지
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청구항 1에 있어서,상기 금속 나노입자가 Mo 재질인 것을 특징으로 하는 산화갈륨 패시베이션층이 삽입된 고효율 양면 투광형 CIGS계 태양전지
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◈청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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투명 재질의 하부 기판 위에 투명전도성산화물 재질의 하부 투명 전극층을 형성하는 단계;상기 하부 투명 전극층의 위에 입경이 2~50nm 범위인 금속 나노입자를 상기 하부 투명 전극층 표면의 10% 이하를 덮도록 분산하여 위치시키는 단계;금속 나노입자가 분산된 하부 투명 전극층 위에 CIGS계 재질의 광흡수층을 형성하는 단계;상기 광흡수층의 위에 상부 버퍼층을 형성하는 단계; 및상기 상부 버퍼층 위에 상부 투명 전극층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 광흡수층을 형성하는 단계에서, 상기 광흡수층과 상기 하부 투명 전극층의 계면에서 산화갈륨이 형성되어 상기 금속 나노입자가 배치된 곳을 제외한 곳에 산화갈륨 재질의 층을 형성하고, 산화갈륨 재질의 층이 후면재결합을 방지하는 패시베이션층으로 기능하며, 상기 광흡수층은 상기 패시베이션층의 표면에 노출된 금속 나노입자에 접촉하여 로컬라이즈드 컨택을 형성하는 것을 특징으로 하는 산화갈륨 패시베이션층이 삽입된 고효율 양면 투광형 CIGS계 태양전지의 제조방법
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7
청구항 6에 있어서,상기 광흡수층을 형성하는 단계를 수행하는 과정에서 적어도 일부는 500℃이상의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 산화갈륨 패시베이션층이 삽입된 고효율 양면 투광형 CIGS계 태양전지의 제조방법
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8
청구항 6에 있어서,상기 광흡수층을 형성하는 단계 이후에 500℃ 이상의 온도로 열처리하여 산화갈륨 재질의 패시베이션층을 형성하는 단계를 더 수행하는 것을 특징으로 하는 산화갈륨 패시베이션층이 삽입된 고효율 양면 투광형 CIGS계 태양전지의 제조방법
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9
◈청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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10
◈청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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12
삭제
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◈청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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14
양면에 입사되는 빛을 모두 발전에 사용할 수 있는 태양전지를 포함하는 건물일체형태양광발전모듈로서,상기 태양전지가,투명 재질의 하부 기판;하부 기판 위에 형성된 투명전도성산화물 재질의 하부 투명 전극층;상기 하부 투명 전극층 위에 분산된 금속 나노입자;금속 나노입자가 분산된 하부 투명 전극 위에 형성되어 후면재결합을 방지하는 산화갈륨 재질의 패시베이션층; 상기 패시베이션층 위에 형성된 CIGS계 재질의 광흡수층;상기 광흡수층 위에 형성된 상부 버퍼층; 및상기 상부 버퍼층 위에 형성된 상부 투명 전극층을 포함하여 구성되며,입경이 2~50nm 범위인 금속 나노입자가 상기 하부 투명 전극층 표면의 10% 이하를 덮도록 분산됨으로써, 상기 광흡수층은 상기 패시베이션층의 표면에 노출된 금속 나노입자에 접촉하여 로컬라이즈드 컨택을 형성한, 산화갈륨 패시베이션층이 삽입된 고효율 양면 투광형 CIGS계 태양전지인 것을 특징으로 하는 건물일체형태양광발전모듈
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2개 이상의 태양전지 셀이 적층된 탠덤태양전지로서,복수의 태양전지 셀 중에 적어도 하나가,투명전도성산화물 재질의 하부 투명 전극층;상기 하부 투명 전극층 위에 분산된 금속 나노입자;금속 나노입자가 분산된 하부 투명 전극 위에 형성되어 후면재결합을 방지하는 산화갈륨 재질의 패시베이션층; 상기 패시베이션층 위에 형성된 CIGS계 재질의 광흡수층;상기 광흡수층 위에 형성된 상부 버퍼층; 및상기 상부 버퍼층 위에 형성된 상부 투명 전극층을 포함하여 구성되며,입경이 2~50nm 범위인 금속 나노입자가 상기 하부 투명 전극층 표면의 10% 이하를 덮도록 분산됨으로써, 상기 광흡수층은 상기 패시베이션층의 표면에 노출된 금속 나노입자에 접촉하여 로컬라이즈드 컨택을 형성한, 산화갈륨 패시베이션층이 삽입된 고효율 양면 투광형 CIGS계 태양전지인 것을 특징으로 하는 탠덤태양전지
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