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(a) 술폰계 단량체를 물에 용해하여 술폰계 음이온 전해질을 제조하는 단계;(b) 상기 (a)단계에서 제조된 술폰계 음이온 전해질에 술폰계 단량체를 추가로 더 첨가 및 용해하여 고농도 술폰계 음이온 전해질을 제조하는 단계; 및(c) 상기 (b)단계에서 제조된 고농도 술폰계 음이온 전해질에 가교제 및 광개시제를 첨가한 후 용해하는 단계를 포함하고,상기 (a)단계 및 (b)단계에서 술폰계 단량체는 산 또는 염기 형태의 술폰계 단량체인 광경화성 용액의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (a)단계에서 술폰계 단량체는 염 형태의 술폰계 단량체인 광경화성 용액의 제조방법
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◈청구항 3은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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◈청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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제1항에 있어서,상기 (b)단계에서 술폰계 단량체는 산 형태의 술폰계 단량체인 광경화성 용액의 제조방법
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◈청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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◈청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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제1항에 있어서,상기 (b)단계에서 고농도 술폰계 음이온 전해질은 총 중량을 기준으로, 술폰계 단량체 50~75중량%를 포함하는 광경화성 용액의 제조방법
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(d) 다공성 지지체를 상기 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조된 광경화성 용액에 함침시키는 단계;(e) 상기 (d)단계에서 함침이 완료된 다공성 지지체를 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 간에 삽입하여 광 중합시키는 단계; 및(f) 상기 (e)단계에서 광 중합된 다공성 지지체로부터 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 제거한 후, 다공성 지지체의 표면에 잔존하는 부산물을 제거하는 단계를 포함하는 양이온교환막의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 (d)단계의 다공성 지지체는 폴리에틸렌, 폴리올레핀, 폴리에스테르, 폴리술폰, 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리아미드, 폴리테트라플루오르에틸렌, 레이온 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종이고, 도데실벤젠설포닉산(dodecylbenzenesulfonic acid)을 포함하는 계면활성제에 의해 표면이 친수 처리되는 양이온교환막의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 (e)단계에서 광 중합은 UV램프를 이용하여 30초~8분 동안 실시되는 양이온교환막의 제조방법
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상기 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 양이온교환막의 제조방법에 의해 제조된 양이온교환막
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양극;상기 양극과 대면하는 음극; 및상기 양극과 음극 사이에 개재되는 복수의 단위셀을 포함하고,상기 복수의 단위셀은 각각 서로 이격되어 구비되는 음이온교환막 및 상기 제12항에 따른 양이온교환막을 포함하는 역전기투석장치
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