맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

울트라커패시터용 전극활물질의 제조방법, 이를 이용한 울트라커패시터 전극의 제조방법 및 울트라커패시터의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019015882
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 디시아노메틸 피폴리디늄 테트라플루오로보레이트(dicyanomethyl pyrrolidinium tetrafluoroborate) 및 디시아노메틸 피페리디늄 트리플루오로 메탄 설포닐 이미드(dicyanomethyl piperidinium trifluoro methane sulfonyl imide)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 이온성액체를 비활성 가스 분위기에서 탄화처리하는 단계와, 탄화처리된 결과물을 알칼리와 혼합하여 활성화 처리하는 단계 및 활성화 처리된 결과물을 산(acid)으로 중화처리하고 세정하여 울트라커패시터용 전극활물질을 얻는 단계를 포함하는 울트라커패시터용 전극활물질의 제조방법, 이를 이용한 울트라커패시터 전극의 제조방법 및 울트라커패시터의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 상용 활성탄에 비하여 고온에서의 비축적용량과 분해전압이 높은 울트라커패시터용 전극활물질을 제조할 수 있다.
Int. CL H01G 11/34 (2013.01.01) H01G 11/86 (2013.01.01) H01G 11/52 (2013.01.01)
CPC H01G 11/34(2013.01) H01G 11/34(2013.01) H01G 11/34(2013.01) H01G 11/34(2013.01)
출원번호/일자 1020180011801 (2018.01.31)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0092716 (2019.08.08) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.01.31)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 노광철 경상남도 진주시 초장로**번길 **
2 김주연 경상남도 김해시 해

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고길수 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 **, *층 (서초동)(정석국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 경상남도 진주시 소호로 ***
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2018-0108644-17
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.03.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0197516-16
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2019-0392120-78
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.04.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0392090-96
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.09.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0649032-55
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2019.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2019-1136199-59
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2019.12.06 수리 (Accepted) 1-1-2019-1260944-99
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2020.01.06 수리 (Accepted) 1-1-2020-0009065-95
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.01.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0009041-00
10 등록결정서
Decision to grant		 2020.05.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0342109-29
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
디시아노메틸 피폴리디늄 테트라플루오로보레이트(dicyanomethyl pyrrolidinium tetrafluoroborate) 및 디시아노메틸 피페리디늄 트리플루오로 메탄 설포닐 이미드(dicyanomethyl piperidinium trifluoro methane sulfonyl imide)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 이온성액체를 비활성 가스 분위기에서 탄화처리하는 단계; 탄화처리된 결과물을 알칼리와 혼합하여 활성화 처리하는 단계; 및활성화 처리된 결과물을 산(acid)으로 중화처리하고 세정하여 울트라커패시터용 전극활물질을 얻는 단계를 포함하며, 상기 탄화처리는 700∼900℃의 온도에서 수행하고,상기 활성화 처리하는 단계는, 상기 탄화처리된 결과물과 상기 알칼리를 혼합하는 단계; 및상기 탄화처리된 결과물과 상기 알칼리의 혼합물을 활성화 반응기에 장입하고 비활성 가스 분위기로 700∼950℃의 온도에서 활성화 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 울트라커패시터용 전극활물질의 제조방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 탄화 처리된 결과물과 상기 알칼리를 1: x (여기서, 1≤x≤8)의 중량비로 상기 활성화 반응기에 장입하는 것을 특징으로 하는 울트라커패시터용 전극활물질의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 알칼리는 수산화칼륨(KOH) 및 수산화나트륨(NaOH)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 울트라커패시터용 전극활물질의 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 활성화 처리하는 단계는, 상기 탄화 처리된 결과물 및 상기 알칼리를 활성화 반응기 내에 장입하는 단계; 상기 활성화 반응기의 유입구를 통해 비활성 기체를 주입하는 단계; 상기 활성화 반응기 내의 온도를 700∼950℃의 온도까지 승온하여 활성화 처리가 이루어지는 단계; 및상기 활성화 반응기를 냉각하여 활성화 처리된 결과물을 수득하는 단계를 포함하며,상기 활성화 반응기의 유입구를 통해 주입된 비활성 기체는 배출구를 통해 배출되게 하고, 상기 배출구는 에탄올이 담긴 배출조에 연결되게 하며, 상기 비활성 기체가 상기 배출조에 담긴 에탄올로 배출되게 하여 외부 공기 중으로 직접적으로 배출되는 것을 방지하는 것을 특징으로 하는 울트라커패시터용 전극활물질의 제조방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 활성화 반응기를 냉각하여 활성화 처리된 결과물을 수득하는 단계는,상기 활성화 반응기를 냉각하다가 에탄올의 끓는점보다 높은 80∼150℃의 온도에서 상기 활성화 반응기 내부로 에탄올을 주입하여 에탄올 증기로 활성화 처리된 결과물을 샤워시켜 주는 단계를 포함하며,상기 에탄올 증기는 상기 배출구를 통해 액체가 담긴 상기 배출조로 배출되게 하는 것을 특징으로 하는 울트라커패시터용 전극활물질의 제조방법
8 8
제1항에 기재된 울트라커패시터용 전극활물질의 제조방법을 이용하여 울트라커패시터용 전극활물질을 제조하는 단계;상기 울트라커패시터용 전극활물질, 도전재, 바인더 및 분산매를 혼합하여 울트라커패시터 전극용 조성물을 제조하는 단계; 상기 울트라커패시터 전극용 조성물을 압착하여 전극 형태로 형성하거나, 상기 울트라커패시터 전극용 조성물을 금속 호일에 코팅하여 전극 형태로 형성하거나, 상기 울트라커패시터 전극용 조성물을 롤러로 밀어 시트 상태로 만들고 금속 호일 또는 집전체에 붙여서 전극 형태로 형성하는 단계; 및전극 형태로 형성된 결과물을 건조하여 울트라커패시터 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 울트라커패시터 전극의 제조방법
9 9
제8항에 기재된 울트라커패시터 전극의 제조방법에 의해 제조된 울트라커패시터 전극을 양극과 음극으로 사용하며, 상기 양극과 상기 음극을 이격되게 배치하고, 상기 양극과 상기 음극 사이에 상기 양극과 상기 음극의 단락을 방지하기 위한 분리막을 배치하며, 상기 양극, 상기 분리막 및 상기 음극을 비수계 전해액에 함침시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 울트라커패시터의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 비츠로셀 경제협력권산업육성사업 초고온(140℃) 이중층커패시터 개발