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유리 기판;상기 유리 기판 상에 형성된 배향막; 및상기 배향막을 따라 배향된 액정;을 포함하고,상기 배향막은, 탄소나노튜브 포레스트로부터 인출된 배향성 탄소나노튜브 시트를 포함하는 것이고,상기 탄소나노튜브의 간격은 0
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제1항에 있어서,상기 탄소나노튜브는, 이중벽 탄소나노튜브(double-walled carbon nanotube, DWCNT), 박막 다중벽 탄소나노튜브(thin multi-walledcarbon nanotube; tMWCNT) 및 다중벽 탄소나노튜브(multi-walled carbon nanotube, MWCNT)로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 것인,액정 디스플레이 소자
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제1항에 있어서,상기 탄소나노튜브의 직경은 5 nm 내지 20 nm인 것인,액정 디스플레이 소자
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삭제
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제1항에 있어서,LCD 빔프로젝터에 적용되는 것인,액정 디스플레이 소자
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하부 유리기판 및 하부 배향막을 포함하는 하부층;상부 유리기판 및 상부 배향막을 포함하는 상부층; 및상기 하부층 및 상기 상부층 사이에 주입되는 액정을 포함하고, 상기 상부 배향막 및 상기 하부 배향막은, 탄소나노튜브 포레스트로부터 인출된 배향성 탄소나노튜브 시트를 포함하는 것이고,상기 액정은, 상기 상부 배향막, 하부 배향막 또는 이 둘을 따라 배향된 것이며,상기 탄소나노튜브의 간격은 0
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배향성 탄소나노튜브 시트를 준비하는 단계 및 상기 배향성 탄소나노튜브 시트를 유리 기판 상에 전사하는 단계를 포함하는 상부층 및 하부층 형성단계; 및상기 상부층과 상기 하부층 사이에 액정을 주입하는 단계; 를 포함하고,상기 액정은, 상기 상부층의 배향성 탄소나노튜브 시트, 하부층의 배향성 탄소나노튜브 시트 또는 이 둘을 따라 배향되는 것이며,상기 탄소나노튜브의 간격은 0
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제7항에 있어서,상기 배향성이 있는 탄소나노튜브 시트를 준비하는 단계는,탄소나노튜브 포레스트를 성장시키는 단계,상기 탄소나노튜브 포레스트로부터 탄소나노튜브를 인출하여 탄소나노튜브 시트를 형성하는 단계; 및상기 탄소나노튜브 시트를 100 ℃ 내지 150 ℃의 온도 조건에서 열처리하는 단계;를 포함하는 것인,액정 디스플레이 소자의 제조방법
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