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자구벽(domain wall)을 포함하는 자구벽 자석(domain wall magnet)과, 자기터널 접합을 포함하며, 입력 신호를 축적하여 일 방향으로 움직이는 상기 자구벽에 의하여 전기 저항이 변화하는 스핀 기반 뉴런 소자; 및 상기 스핀 기반 뉴런 소자 발현시 상기 전기 저항에 상응하는 전압을 출력하는 차동 증폭기를 포함하며, 발현된 상기 스핀 기반 뉴런 소자는 상기 전기 저항이 리셋되는 스핀 기반 뉴런 회로
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제1항에 있어서, 상기 스핀 기반 뉴런 소자는, 리셋이 수행됨에 상기 자구벽의 위치가 초기화되는 스핀 기반 뉴런 회로
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제1항에 있어서, 상기 자구벽의 위치는 상기 입력 신호의 크기 및 상기 입력 신호의 전류 밀도가 문턱치보다 크면 상기 일 방향으로 이동하는 스핀 기반 뉴런 회로
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제1항에 있어서, 상기 스핀 기반 뉴런 소자의 상기 발현은 상기 자구벽의 위치가 문턱치 이상 움직인 경우 수행되는 스핀 기반 뉴런 회로
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제1항에 있어서, 상기 차동 증폭기는 제1 PMOS 트랜지스터와 제1 NMOS 트랜지스터 및 상기 스핀 기반 뉴런 소자가 직렬로 연결된 제1 차동 회로; 및제2 PMOS 트랜지스터와 제2 NMOS 트랜지스터 및 기준 소자가 직렬로 연결된 제2 차동 회로를 포함하며, 상기 제1 및 제2 차동 회로가 차동쌍(differential pair)를 이루는 스핀 기반 뉴런 회로
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제5항에 있어서, 상기 차동 증폭기는 상기 제1 차동 회로 및 상기 제2 차동 회로에 구동 전압을 제공하는 전압 제공 스위치와,상기 입력 신호를 기준 전압으로 흘리는 드레인 스위치(drain switch)를 포함하며,상기 전압 제공 스위치 및 상기 드레인 스위치는 상보적으로 동작하는 스핀 기반 뉴런 회로
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