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나노 로드를 포함하는 트랜지스터 구조의 고감도 자외선 감지 소자형 자외선 센서(100)에 있어서,기판(120)과,상기 기판의 하면에 형성되는 제1 전극(110)과,상기 기판의 상면에 형성되는 절연층(130)과,상기 절연층의 상면에 자외선을 흡수하는 특성을 지닌 물질로 형성되는 자외선 흡수층(140)과,상기 자외선 흡수층의 상면 어느 일측의 제1 영역(151)에 형성되는 제2 전극(150)과,상기 자외선 흡수층의 상면 타측의 제2 영역(161)에 형성되는 제3 전극(160)과,상기 자외선 흡수층의 상면 중 제1 영역과 제2 영역 사이의 제3 영역(171)에 형성되어 있으며, 복수 개의 금속 산화물 나노 로드(170a ~ 170n)를 포함하는 나노 로드층(170)을 포함하여 구성되며,상기 자외선흡수층(140)은,산화아연으로 형성된 산화아연층인 것을 특징으로 하고, 상기 자외선흡수층(140) 일측에 일정 깊이로 형성되는 산화아연 시드층(145, seed layer)을 포함하며, 상기 산화아연 시드층(145)을 통해 상기 제2 전극(150)에서 상기 제3 전극(160)으로 전류를 이동시키는 것을 특징으로 하는 나노 로드를 포함하는 트랜지스터 구조의 고감도 자외선 감지 소자형 자외선 센서
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제 1항에 있어서,상기 나노 로드를 포함하는 트랜지스터 구조는,top-gate staggered 방법, top-gate coplanar 방법, bottom-gate staggered 방법, bottom-gate coplanar 방법 중 적어도 어느 하나의 방법을 이용하여 제조되는 것을 특징으로 하는 나노 로드를 포함하는 트랜지스터 구조의 고감도 자외선 감지 소자형 자외선 센서
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나노 로드를 포함하는 트랜지스터 구조의 고감도 자외선 감지 소자형 자외선 센서(100) 제조 방법에 있어서,기판(120)의 상면에 절연층(130)을 형성하는 절연층형성단계(S100)와,상기 기판(120)의 하면에 제1 전극(110)을 형성하는 제1전극형성단계(S200)와,상기 절연층형성단계에 의해 형성된 절연층(130)의 상면에 자외선을 흡수하는 특성을 지닌 물질로 자외선흡수층(140)을 형성하는 자외선흡수층형성단계(S300)와,상기 형성된 자외선흡수층의 상면 어느 일측의 제1 영역(151)에 금속을 증착하여 제2 전극(150)을, 상기 형성된 자외선흡수층의 상면 타측의 제2 영역(161)에 금속을 증착하여 제3 전극(160)을 형성하는 제2전극및제3전극형성단계(S400)와,상기 자외선흡수층의 상면 중 제1 영역과 제2 영역 사이의 제3 영역(171)에 복수 개의 금속 산화물 나노 로드(170a ~ 170n)를 포함하는 나노 로드층(170)을 형성하는 나노 로드층형성단계(S500)를 포함하며,상기 자외선흡수층형성단계(S300)는,절연층(130)의 상면에 산화아연을 증착한 산화아연층인 자외선흡수층(140)을 형성하고, 상기 자외선흡수층(140) 상면에 일정 깊이를 갖는 산화아연 시드층(145, seed layer)을 형성하는 것을 특징으로 하고,상기 나노 로드층형성단계(S500)는,85℃ 내지 100℃의 온도에서 수열 합성법을 이용하여 복수 개의 금속 산화물 나노 로드(170a ~ 170n)를 성장시키거나, 기상 수송법을 이용하여 복수 개의 금속 산화물 나노 로드(170a ~ 170n)를 성장시키거나, 템플릿을 이용한 증착법을 이용하여 복수 개의 금속 산화물 나노 로드(170a ~ 170n)를 성장시키거나, 졸-겔 증착법을 이용하여 복수 개의 금속 산화물 나노 로드(170a ~ 170n)를 성장시키는 것을 특징으로 하는 나노 로드를 포함하는 트랜지스터 구조의 고감도 자외선 감지 소자형 자외선 센서 제조 방법
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