| 1 |
1
(1) 투명전극 상에 아연을 포함하는 금속 산화물을 포함하는 전자수송층을 형성시키는 단계;(2) 티올계 화합물로 상기 전자수송층의 상부면을 개질하는 단계;(3) 표면 개질된 전자수송층 상에 페로브스카이트 광활성층을 형성시키는 단계;(4) 상기 페로브스카이트 광활성층 상에 정공 수송층을 형성시키는 단계; 및(5) 상기 정공 수송층 상에 상대전극을 형성시키는 단계;를 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 티올계 화합물은 0
|
| 3 |
3
제2항에 있어서,상기 용매는 에탄올(ethanol), 메탄올(methanol), 이소프로필 알코올(isopropyl alcohol), 부탄올(butanol), 디메틸포름아미드(dimethylformamide), 디메틸설폭사이드(dimethyl sulfoxide), 및 아세토나이트릴(acetonitrile) 중에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 (3)단계는 (3-1) 하기 화학식 1로 표기되는 화합물을 포함하는 제1용액을 상기 표면 개질된 전자수송층 상에 처리 및 가열하는 단계; 및(3-2) 하기 화학식 2으로 표기되는 화합물을 포함하는 제2용액을 상기 표면 개질된 전자수송층 상에 처리 및 가열하는 단계;를 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법:[화학식 1]BX2상기 화학식 1에서, B는 Pb, Sn 및 Ge 중에서 선택된 적어도 어느 하나이고, X는 할로겐원소이다
|
| 5 |
5
투명전극;아연을 포함하는 금속 산화물을 포함하고, 일면이 티올계 화합물로 표면 개질된 전자수송층;상기 전자수송층의 표면개질된 일면과 맞닿도록 적층된 페로브스카이트 광활성층;정공수송층; 및상대전극;을 포함하는 페로브스카이트 태양전지
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,상기 아연을 포함하는 금속 산화물은 마그네슘 도핑된 산화아연(Magnesium doped zinc oxide), 주석 도핑된 산화아연(Tin doped zinc oxide), 산화주석(Tin xide), 아연 도핑된 산화주석 (Zinc doped tin oxide), 인듐 도핑된 산화주석 (Indium doped tin oxide) 또는 산화아연(ZnO)인 페로브스카이트 태양전지
|
| 7 |
7
제5항에 있어서,상기 페로브스카이트 광활성층은 하기 화학식 3로 표기되는 화합물을 포함하는 페로브스카이트 태양전지:[화학식 3]ABX3상기 화학식 3에서, A는 아미노기, 수산화기, 시아노기, 할로겐기, 니트로기 및 메톡시기 중에서 선택된 어느 하나의 치환기를 포함하는 알킬기이고, B는 Pb, Sn 및 Ge 중에서 선택된 적어도 어느 하나이고, X는 할로겐원소이다
|
| 8 |
8
제5항에 있어서,상기 티올계 화합물은 적어도 하나의 티올기를 포함하는 C2~C6의 탄화수소 유도체인 페로브스카이트 태양전지
|
| 9 |
9
제5항에 있어서,상기 전자수송층은 하기 계산식 1에 따른 전기전도도 변화율이 1~1
|
| 10 |
10
제5항에 있어서,상기 전자수송층의 표면 개질된 일면은 35~53°의 접촉각을 갖는 페로브스카이트 태양전지
|
