| 1 |
1
초전도체로서, 탄소 도핑된 이붕소마그네슘; 및상기 탄소 도핑된 이붕소마그네슘의 결정립 내부에 존재하는 염소 원자;를 포함하고, 상기 초전도체는 0
|
| 2 |
2
청구항 1에 있어서,상기 탄소 도핑된 이붕소마그네슘은 0 wt
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
붕소 분말, 및 액상의 염화 탄화수소 화합물을 혼합하여 상기 붕소 분말 표면에 비정질 탄소층을 형성하는 단계;상기 비정질 탄소층이 형성된 붕소 분말과 마그네슘 분말을 혼합하는 단계;상기 혼합 결과물을 가압하여 성형하는 단계; 및상기 성형 결과물을 소결하는 단계를 포함하고, 상기 붕소 분말과 액상의 염화 탄화수소 화합물은 상기 붕소 분말 1mg 기준으로 액상의 염화 탄화수소 화합물 0
|
| 5 |
5
청구항 4에 있어서,상기 액상의 염화 탄화수소 화합물은 클로로포름 또는 사염화탄소인 초전도체의 제조방법
|
| 6 |
6
청구항 4에 있어서,상기 마그네슘 분말을 혼합하는 단계는 상기 비정질 탄소층이 형성된 붕소 분말과 마그네슘 분말을 화학양론적 비로 혼합하는 것인 초전도체의 제조방법
|
| 7 |
7
청구항 4에 있어서,상기 비정질 탄소층의 두께는 1 nm 이상 10 nm 이하인 것인 초전도체의 제조방법
|
| 8 |
8
청구항 4에 있어서,상기 소결하는 단계는 600 ℃ 이상 1,000 ℃ 이하의 온도에서 수행되는 것인 초전도체의 제조방법
|
| 9 |
9
청구항 4에 있어서,상기 소결하는 단계는 10 분 이상 10 시간 이하의 시간 동안 수행되는 것인 초전도체의 제조방법
|
