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웨이퍼에 대하여 플라즈마 공정을 수행하는 챔버;상기 챔버 내 생성되는 플라즈마 광을 투과하는 뷰포트(viewport);상기 뷰포트와 회전축을 중심으로 회전 가능하도록 결합하는 회전 모듈; 및상기 회전 모듈과 결합되어 상기 플라즈마 광을 제공받는 OES(Optical Emission Spectroscopy) 장치를 포함하되,상기 회전 모듈은,상기 뷰포트와 대향하는 제1 면과 상기 OES 장치와 대향하는 제2 면을 포함하고,상기 제1 면은 상기 플라즈마 광의 일부를 차단하는 제1 차단막과 상기 제1 차단막에 의해 상기 회전 모듈의 내부가 노출되는 제1 개구를 포함하고,상기 제2 면은 상기 제1 개구와 이어지는 제2 개구를 포함하는 플라즈마 처리 장치
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제 1항에 있어서,상기 회전 모듈은 제1 각도 회전하여 상기 제1 개구로 상기 챔버 내 플라즈마 광의 일부를 투과시키고,제2 각도 회전하여 상기 제1 개구로 상기 챔버 내 플라즈마 광의 일부를 투과시키는 플라즈마 처리 장치
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제 2항에 있어서,상기 제1 개구는 반원 형상인 플라즈마 처리 장치
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제 2항에 있어서,상기 회전 모듈이 상기 제1 각도 회전하여 상기 챔버의 일측의 제1 영역의 플라즈마 광을 모니터링하고,상기 회전 모듈이 상기 제2 각도 회전하여 상기 챔버의 나머지 일측의 제2 영역의 플라즈마 광을 모니터링하는 플라즈마 처리 장치
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제 4항에 있어서,상기 회전 모듈이 모니터링한 상기 제1 영역의 플라즈마 광과 상기 제2 영역의 플라즈마 광을 비교하여 상기 챔버 내 플라즈마의 균일도를 판단하는 플라즈마 처리 장치
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제 2항에 있어서,상기 제1 개구는 사분원 형상인 플라즈마 처리 장치
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제 6항에 있어서,상기 회전 모듈은 제3 각도 회전하여 상기 제1 개구로 상기 챔버 내 플라즈마 광의 일부를 투과시키고,제4 각도 회전하여 상기 제1 개구로 상기 챔버 내 플라즈마 광의 일부를 투과시키는 플라즈마 처리 장치
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제 7항에 있어서,상기 회전 모듈이 상기 제1 각도 회전하여 모니터링한 상기 챔버의 플라즈마 광과, 상기 회전 모듈이 상기 제4 각도 회전하여 모니터링한 상기 챔버의 플라즈마 광을 비교하여 상기 챔버의 상부의 플라즈마 균일도를 판단하고,상기 회전 모듈이 상기 제2 각도 회전하여 모니터링한 상기 챔버의 플라즈마 광과, 상기 회전 모듈이 상기 제3 각도 회전하여 모니터링한 상기 챔버의 플라즈마 광을 비교하여 상기 챔버의 하부의 플라즈마 균일도를 판단하는 플라즈마 처리 장치
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챔버 내부에 생성되는 플라즈마 광을 투과하는 뷰포트와 회전축을 중심으로 회전 가능하도록 결합하는 회전 모듈;상기 회전 모듈과 결합되어 상기 플라즈마 광을 제공받는 수광부;상기 플라즈마 광을 분광하여 파장에 따른 강도를 분석하는 분광기; 및상기 수광부와 상기 분광기 사이를 연결하는 광 케이블을 포함하되,상기 회전 모듈은,상기 뷰포트와 결합하는 제1 면과 상기 수광부와 결합하는 제2 면을 포함하고,상기 제1 면은 상기 플라즈마 광의 일부를 차단하는 제1 차단막과 상기 제1 차단막에 의해 상기 회전 모듈의 내부가 노출되는 제1 개구를 포함하고,상기 제2 면은 상기 제1 개구와 이어지는 제2 개구를 포함하는 OES(Optical Emission Spectroscopy) 장치
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뷰포트에 회전 모듈을 통해 OES(Optical Emission Spectroscopy) 장치가 연결된 챔버에 웨이퍼를 투입하되, 상기 OES 장치는,상기 뷰포트와 회전축을 중심으로 회전 가능하도록 결합하는 회전 모듈로, 상기 회전 모듈은 상기 뷰포트와 결합하는 제1 면과 상기 수광부와 결합하는 제2 면을 포함하고, 상기 제1 면은 상기 플라즈마 광의 일부를 차단하는 제1 차단막과 상기 제1 차단막에 의해 상기 회전 모듈의 내부가 노출되는 제1 개구를 포함하고, 상기 제2 면은 상기 제1 개구와 이어지는 제2 개구를 포함하고,상기 챔버로 공정 가스를 주입하고 RF 전력을 인가하여 플라즈마를 생성하고,상기 회전 모듈을 제1 각도 회전하여 상기 뷰포트를 통해 투과되는 상기 챔버 내의 플라즈마를 모니터링하고,상기 회전 모듈을 제2 각도 회전하여 상기 뷰포트를 통해 투과되는 상기 챔버 내의 플라즈마를 모니터링하고,상기 제1 각도와 상기 제2 각도에서의 상기 챔버 내의 플라즈마의 모니터링 결과를 비교하여 상기 챔버 내의 플라즈마의 균일도를 판단하고,상기 챔버 내 플라즈마의 공정 변수를 조정하는 것을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법
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