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실리콘 기판의 적어도 일부 상에 실리콘 산화물층을 형성하는 제 1 단계; 및상기 실리콘 산화물층을 NH3 및 NF3를 포함하는 플라즈마와 선택적으로 반응시킴으로써 화합물층을 형성하는 제 2 단계;를 포함하는 단위 사이클을 1회 이상 수행하고,상기 단위 사이클을 수행한 이후에 상기 화합물층이 구비된 상기 실리콘 기판을 열처리함으로써 상기 화합물층을 제거하는 단계를 포함하는,실리콘의 원자층 에칭 방법
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제 1 항에 있어서,상기 화합물층은 (NH4)2SiF6를 포함하는, 실리콘의 원자층 에칭 방법
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제 2 항에 있어서,상기 NH3 가스 및 상기 NF3 가스의 유량비는 하기 수학식 1을 만족하는,실리콘의 원자층 에칭 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 실리콘 산화물층을 형성하는 제 1 단계는 산소 플라즈마를 이용하여 0
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제 4 항에 있어서, 상기 산소 플라즈마는 150W 내지 250W의 파워(power)로, 5sec 내지 10sec 시간 동안 수행하는 것을 특징으로 하는, 실리콘의 원자층 에칭 방법
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제 1 항에 있어서,상기 화합물층을 형성하는 단계에서,플라즈마 파워(plasma power)는 50W 내지 100W인 것을 특징으로 하는,실리콘의 원자층 에칭 방법
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7
제 1 항에 있어서,상기 열처리는 100℃ 내지 200℃에서 수행하는,실리콘의 원자층 에칭 방법
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제 1 항에 있어서,상기 화합물층을 제거하는 단계는 상기 열처리에 의해 상기 화합물이 기화되는 단계인,실리콘의 원자층 에칭 방법
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