| 1 |
1
플레이트 형태의 유전체;상기 유전체의 아랫면에 면접하여 배치되고, 기체를 수용하는 기체수용공간을 제공하는 환형 전극; 상기 유전체의 윗면에 면접하여 배치되고, 상기 환형 전극의 내경 이하의 직경을 갖는 원형 전극; 및상기 원형 전극 및 환형 전극 사이에 고전압을 인가하는 전원공급부를 포함하고,고전압이 인가되어 방전이 개시되면 상기 환형 전극의 내측면 및 상기 유전체의 아랫면 사이에서 상기 환형 전극의 중심 방향으로 플라즈마가 전개되고 상기 환형 전극의 중심부에서 상기 플라즈마의 전개 방향의 끝이 커플링되는 플라즈마의 커플링이 이루어져서 환형 전극의 중심부에서 피처리기판 방향으로 수직하게 떨어지는 필라멘트형 플라즈마가 생성되는 것을 특징으로 하는,환형 면방전 플라즈마 장치를 이용한 점상 식각 모듈
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 원형 전극은 상기 환형 전극의 내경보다 작은 직경을 갖는 것을 특징으로 하는,환형 면방전 플라즈마 장치를 이용한 점상 식각 모듈
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 원형 전극의 지름(Re)과 상기 환형 전극의 내경(Se)의 비율은 8 : 18 이하인 것을 특징으로 하는,환형 면방전 플라즈마 장치를 이용한 점상 식각 모듈
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 원형 전극의 지름(Re)과 상기 환형 전극의 내경(Se)의 차이는 20mm이하인 것을 특징으로 하는,환형 면방전 플라즈마 장치를 이용한 점상 식각 모듈
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 기체는 방전 개시를 위한 방전가스를 포함하고, 상기 방전가스는 He, Ne, Ar, 및 Xe로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는,환형 면방전 플라즈마 장치를 이용한 점상 식각 모듈
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,상기 기체는 상기 피처리기판의 식각을 위한 식각가스를 포함하고,상기 피처리기판은 SiC이고,상기 식각가스는 NF3 또는 SF6인 것을 특징으로 하는,환형 면방전 플라즈마 장치를 이용한 점상 식각 모듈
|
| 7 |
7
제6항에 있어서,상기 식각가스는 상기 기체수용공간으로 주입되는 기체의 총 부피에 대하여 1% 미만으로 주입되는 것을 특징으로 하는,환형 면방전 플라즈마 장치를 이용한 점상 식각 모듈
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 기체수용공간으로 상기 기체를 주입하기 위한 기체주입부를 포함하는 것을 특징으로 하는,환형 면방전 플라즈마 장치를 이용한 점상 식각 모듈
|
| 9 |
9
제8항에 있어서,상기 기체주입부는 상기 환형 전극의 측면방향에서 상기 기체수용공간으로 기체를 주입하도록 구성되는 것을 특징으로 하는,환형 면방전 플라즈마 장치를 이용한 점상 식각 모듈
|
| 10 |
10
제8항에 있어서,상기 기체주입부는 상기 환형 전극의 외면을 감싸도록 설치되는 원통형 기체주입부재를 포함하고,상기 환형 전극의 외면 및 원통형 기체주입부재의 내면 사이에는 상기 기체주입부재로부터 주입된 기체를 상기 기체수용공간으로 안내하는 기체가이드통로가 구비되는 것을 특징으로 하는,환형 면방전 플라즈마 장치를 이용한 점상 식각 모듈
|
| 11 |
11
제1항에 있어서,상기 피처리기판은 전도성 기판이고,상기 전도성 기판을 식각하는 것을 특징으로 하는,환형 면방전 플라즈마 장치를 이용한 점상 식각 모듈
|
| 12 |
12
제1항의 장치를 이용하고,환형 전극의 기체수용공간으로 주입되는 기체의 총 부피 대하여 방전가스 및 식각가스의 공급 비율을 변경하는 과정을 포함하고,상기 과정은,상기 기체의 총 부피에 대하여 상기 식각가스의 공급 비율을 높여, 좁고 깊게 식각하는 과정; 및상기 기체의 총 부피에 대하여 상기 식각가스의 공급 비율을 낮춰, 넓고 얇게 식각하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는,식각 프로파일을 제어하는 방법
|
| 13 |
13
삭제
|
| 14 |
14
삭제
|
