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반도체 소자 제조방법 및 제조된 반도체 소자

  • 기술번호 : KST2019016771
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실시 예는, 기판 상에 그래핀을 전사하는 단계; 상기 그래핀에 결함을 형성하는 단계; 상기 그래핀 상에 반도체층을 성장시키는 단계; 및 상기 반도체층을 상기 기판에서 분리하는 단계를 포함하고, 상기 그래핀에 결함을 형성하는 단계에서, 결함이 형성된 그래핀은 하기 관계식 1을 만족하는 반도체 소자 제조방법을 개시한다. [관계식 1] 2D/G 003c# 1 상기 관계식 1에서, 2D는 라만 시프트 2600cm-1 내지 2800cm-1 사이에서 나타내는 피크의 강도이고, G는 라만 시프트 1500cm-1 내지 1600cm-1 사이에서 나타내는 피크의 강도이다.
Int. CL H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/02 (2010.01.01) H01L 29/16 (2006.01.01) H01L 21/78 (2006.01.01) H01L 33/26 (2010.01.01)
CPC H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01)
출원번호/일자 1020180018789 (2018.02.14)
출원인 엘지이노텍 주식회사, 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0098626 (2019.08.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구
2 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍기용 서울특별시 중구
2 김지현 서울특별시 강남구
3 신가현 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2018-0165898-66
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
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번호 청구항
1 1
기판 상에 그래핀을 전사하는 단계;상기 그래핀에 결함을 형성하는 단계;상기 그래핀 상에 반도체층을 성장시키는 단계; 및상기 반도체층을 상기 기판에서 분리하는 단계를 포함하고,상기 그래핀에 결함을 형성하는 단계에서, 결함이 형성된 그래핀은 하기 관계식 1을 만족하는 반도체 소자 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 결함을 형성하는 단계는,상기 그래핀에 원자 공동(atomic vacancy) 결함을 형성하는 반도체 소자 제조방법
3 3
제2항에 있어서,상기 결함을 형성하는 단계는,상기 그래핀에 산소 플라즈마 또는 자외선-오존 처리하는 반도체 소자 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 기판과 상기 반도체층은 GaAs 조성을 갖는 반도체 소자 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 결함이 형성된 그래핀은 하기 관계식 2를 만족하는 반도체 소자 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 결함이 형성된 그래핀 상에 성장한 반도체층은 X선 회절 분석(XRD) 스펙트럼에서 메인 피크의 반치폭이 26 arcsec 이하인 반도체 소자 제조방법
7 7
제1항에 있어서,상기 반도체층 상에 제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층을 형성하는 반도체 구조물 형성 단계를 포함하는 반도체 소자 제조방법
8 8
기판;상기 기판 상에 배치되는 제1 도전형 반도체층;상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 활성층; 및상기 활성층 상에 배치되는 제2 도전형 반도체층을 포함하고,상기 기판은 GaAs 조성을 포함하고,상기 기판은 X선 회절 분석(XRD) 스펙트럼에서 메인 피크의 반치폭이 26 arcsec 이하인 반도체 소자
9 9
제8항에 있어서,상기 활성층 적색 파장대의 광을 생성하는 반도체 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.