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표면 조도가 개선된 반도체 구조체 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019016846
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 표면 조도가 개선된 반도체 구조체에 관한 것으로서, 더욱 자세하게는 육방정계 n 타입 실리콘 카바이드(SiC) 반도체 기판, 불순물이 주입된 실리콘 카바이드(SiC) 반도체 영역 및 상기 반도체 영역 상에 형성된 육방정계 구조의 질화계 캡층을 포함하는 반도체 구조체, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 반도체 소자에 관한 것이다.
Int. CL H01L 29/16 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01)
CPC H01L 29/1608(2013.01) H01L 29/1608(2013.01) H01L 29/1608(2013.01) H01L 29/1608(2013.01) H01L 29/1608(2013.01) H01L 29/1608(2013.01) H01L 29/1608(2013.01) H01L 29/1608(2013.01) H01L 29/1608(2013.01) H01L 29/1608(2013.01)
출원번호/일자 1020180006205 (2018.01.17)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0087861 (2019.07.25) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.01.17)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성준 경상북도 포항시 남구
2 강민재 경상북도 포항시 남구
3 강민식 경기도 용인시 수지구
4 이남석 경상북도 포항시 남구
5 김홍기 경상북도 포항시 북구
6 신훈규 경상남도 양산시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2018-0058272-18
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.09.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.10.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0128608-56
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.12.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0854368-09
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.02.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0133583-30
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.02.08 수리 (Accepted) 1-1-2019-0133582-95
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2019.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0463414-86
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2019-0764194-16
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2019.07.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0764193-60
10 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2019.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0602259-77
11 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
 2019.10.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-5034577-50
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
15 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2020.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2020-0206110-73
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번호 청구항
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반도체 기판 상부에 불순물이 주입된 반도체 영역을 형성하는 단계;상기 반도체 영역 상에 육방정계 구조를 갖는 질화 붕소 캡층을 형성하는 단계;상기 캡층을 포함하는 반도체 기판을 열처리하는 단계; 및상기 캡층을 제거하는 단계;를 포함하고,상기 캡층을 제거하는 단계는, HF를 포함하는 용액을 이용하는 것이고,실리콘 카바이드(SiC) 반도체 영역은, p 타입 반전 영역인 것이고,반도체의 실리콘 카바이드(SiC)/실리콘 다이옥사이드(SiO2) 계면 전하 포획밀도를 감소시키는 것이고,상기 질화 붕소는, 육방정계(hexagonal) 이차원 물질이고, 반도체 기판과 접촉 시, 표면 조도를 개선시키는 것인, 표면 조도가 개선된 반도체 구조체의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 육방정계 구조를 갖는 질화 붕소 캡층은,유기 화학 기상 증착(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD) 공정으로 형성하는 것인,표면 조도가 개선된 반도체 구조체의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 열처리하는 단계는,1500 ℃ 내지 1800 ℃ 의 온도에서, 10 분 내지 30 분 동안 비활성화 분위기에서 진행하는 것 인,표면 조도가 개선된 반도체 구조체의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 HF를 포함하는 용액은, 초순수를 더 포함하고,1:6 내지 1:10의 혼합비인 것인,표면 조도가 개선된 반도체 구조체의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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1 과학기술정보통신부 포항공과대학교 산학협력단 글로벌 R＆D 기반구축사업 포스텍-프라운호퍼 IISB 실용화연구센터
2 산업통상자원부 (주) 케이이씨 산업기술혁신사업 [산업핵심기술개발사업] 전기자동차 및 신재생에너지용 1200V급 Trench형 SiC MOSFET 소자 개발