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링 오실레이터의 발진을 제어하는 발진 제어 회로에 있어서, 상기 발진 제어 회로는 하나 이상의 링 오실레이터 셀을 포함하고, 상기 하나 이상의 링 오실레이터 셀 각각은 하나 이상의 인버터를 포함하고, 상기 하나 이상의 링 오실레이터 셀은 적어도 하나의 NAND 게이트를 포함하는 제1 링 오실레이터 셀; 및복수의 인버터를 포함하고, NAND 게이트를 포함하지 않는 제2 링 오실레이터 셀;을 포함하고,상기 하나 이상의 링 오실레이터 셀은 프랙탈 구조로 연결되고,상기 프랙탈 구조의 각 꼭지점에는 상기 제1 링 오실레이터 셀이 배치되는 것을 특징으로 하는, 링 오실레이터의 발진 제어 회로
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제1 항에 있어서, 상기 제1 링 오실레이터 셀은 3개의 노드를 포함하고, 상기 3개의 노드는, 한 개의 NAND 게이트를 포함하는 제1 노드; 각각 한 개의 인버터를 포함하는 제2 노드 및 제3 노드; 를 포함하는, 링 오실레이터의 발진 제어 회로
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제1 항에 있어서,상기 프랙탈 구조는 홀수 개의 복수의 단으로 구성되고, 상기 복수의 단에 포함된 각각의 홀수 번째 단에 하나 이상의 상기 제1 링 오실레이터 셀이 배치되는 것을 특징으로 하는, 링 오실레이터의 발진 제어 회로
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제1 항에 있어서,상기 하나 이상의 링 오실레이터 셀은, 적층으로 쌓아올려진 적층구조로 서로 연결되고, 상기 하나 이상의 링 오실레이터 셀 각각에 포함된 노드들은상기 하나 이상의 인버터의 출력에 위치하는 노드 또는 상기 적어도 하나의 NAND 게이트의 출력에 위치하는 노드이고,상기 링 오실레이터가 복수이면 어느 하나의 링 오실레이터 셀에 포함된 노드들과 상기 적층의 방향을 기준으로 각각 동위상인 다른 링 오실레이터 셀에 포함된 노드들이 서로 연결되는 것을 특징으로 하는, 링 오실레이터의 발진 제어 회로
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제1 항에 있어서, 상기 발진 제어 회로는상기 NAND 게이트에 인가되는 전압을 조절하여 링 오실레이터의 발진 주파수를 조절하는 전원부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 링 오실레이터의 발진 제어 회로
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