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기판 상에 배치되고, 홀로그램 기록된 상전이막을 제공하는 것, 상기 상전이막은: 결정질상(crystalline phase)을 갖는 제1 부분과 비정질상(amorphous phase)을 갖는 제2 부분을 포함하고; 및 상기 상전이막 상에 광을 조사하여, 상기 상전이막에 기록된 상기 홀로그램을 삭제하는 것을 포함하되, 상기 홀로그램 삭제된 상기 상전이막의 상기 제1 부분은 상기 제2 부분과 동일한 상(phase)를 갖는 홀로그램 가변 방법
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제 1항에 있어서,상기 홀로그램을 삭제하는 것은 상기 상전이막의 상기 제1 부분을 비정질로 상전이시키는 것을 포함하는 홀로그램 가변 방법
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제 1항에 있어서,상기 광을 조사하는 것은: 상기 상전이막의 상기 제1 부분 및 상기 제2 부분 상에 제2 파워의 레이저를 조사하는 것을 포함하는 홀로그램 가변 방법
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제 1항에 있어서,상기 홀로그램 기록된 상기 상전이막을 제공하는 것은: 비정질상을 갖는 상기 제1 부분 및 상기 비정질상을 갖는 상기 제2 부분을 포함하는 상전이막을 준비하는 것; 상기 상전이막의 상기 제2 부분을 덮되, 상기 제1 부분을 노출시키는 포토레지스트막을 형성하는 것; 및상기 상전이막 상의 상기 제1 부분 상에 제1 파워의 레이저를 조사하여, 상기 상전이막의 상기 제1 부분을 상기 결정질상으로 전이시키는 것을 포함하되, 상기 제2 파워는 상기 제1 파워보다 더 작은 홀로그램 가변 방법
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제 4항에 있어서,상기 제1 파워는 55mJ 내지 60mJ이고, 상기 제2 파워는 40mJ 내지 45mJ인 홀로그램 가변 방법
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제 4항에 있어서, 상기 제1 파워의 레이저를 조사하는 동안, 상기 상전이막의 상기 제2 부분은 상기 제1 파워의 레이저에 노출되지 않는 홀로그램 가변 방법
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제 1항에 있어서,상기 기판 및 상기 상전이막 사이에 무기층이 제공된 홀로그램 가변 방법
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제 7항에 있어서,상기 기판은 평면적 관점에서 제1 영역 및 제2 영역을 갖고, 상기 무기층은: 상기 기판의 상기 제1 영역 상의 제1 무기층; 및 상기 기판의 상기 제2 영역 상의 제2 무기층을 포함하고, 상기 제2 무기층은 상기 제1 무기층과 다른 두께를 갖는 홀로그램 가변 방법
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제 8항에 있어서,상기 제1 무기층 상의 상기 상전이막은 제1 파장의 빛을 반사하고, 상기 제2 무기층 상의 상기 상전이막은 제2 파장의 빛을 반사하되, 상기 제2 파장은 제1 파장과 다른 홀로그램 가변 방법
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제 8항에 있어서,상기 기판은 평면적 관점에서 제3 영역을 더 갖고, 상기 무기층은 상기 기판의 상기 제3 영역 상의 제3 무기층을 더 포함하되, 상기 제3 무기층은 상기 제1 무기층 및 상기 제2 무기층과 다른 두께를 갖는 홀로그램 가변 방법
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제 7항에 있어서,상기 기판 및 상기 무기층 사이에 반사막이 제공된 홀로그램 가변 방법
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제 1항에 있어서,상기 홀로그램 기록된 상기 상전이막의 상기 제1 부분은 상기 제2 부분과 다른 굴절률을 갖는 홀로그램 가변 방법
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제 1항에 있어서,상기 홀로그램 삭제된 상기 상전이막의 상기 제1 부분은 상기 제2 부분과 동일한 굴절률을 갖는 홀로그램 가변 방법
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제 1항에 있어서, 상기 상전이막의 제1 면 상에 제공된 제1 산화막; 및 상기 상전이막의 제2 면 상에 제공된 제2 산화막을 더 포함하되, 상기 상전이막의 상기 제1 면은 상기 제2 면과 대향되는 홀로그램 가변 방법
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제 1항에 있어서, 레이저를 상기 홀로그램 삭제된 상기 상전이막의 상에 조사하여, 상기 상전이막에 홀로그램을 재기록 하는 것을 더 포함하는 홀로그램 가변 방법
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