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제1평탄화제를 포함하되, 구리전구체를 포함하지 않는 전처리 용액에 기판을 침지하여 전처리하는 단계;상기 전처리한 기판을 상기 제1평탄화제, 제2평탄화제, 억제제, 가속제 및 구리전구체를 포함하는 도금액에 침지하는 단계; 및상기 도금액에 침지된 기판에 전류인가를 수행하여 구리막을 전착하는 단계를 포함하고,상기 제1평탄화제는 하기 화학식 1의 구조를 갖는 구리 전해 도금 방법:[화학식 1]상기 식에서, R1은 질소, 산소, 황, 인 중 하나 또는 두 개의 원소를 포함하는 포화 헤테로 고리 화합물로 아지리딘, 옥시란, 티이란, 디아지리딘, 옥사지리딘, 디옥시란, 아제티딘, 옥세탄, 티에탄, 디아제티딘, 디옥세탄, 디티에탄, 피롤리딘, 티올란, 포스포란, 이미다졸리딘, 피라졸리딘, 옥사졸리딘, 이소옥사졸리딘, 티아졸리딘, 이소티아졸리딘, 디옥솔란, 디티올란, 피페리딘, 옥산, 티안, 포스피난, 피페라진, 모르폴린, 티오모르폴린, 디옥산, 디티안, 아제판, 옥세판, 티에판, 호모피레라진, 아조칸, 옥소칸, 티오칸, 아조난, 옥소난 또는 티오난을 포함하고, 상기 R2 및 R3은 각각 독립적으로 수소, 에테르 작용기를 포함하는 탄소수 1개 내지 10개의 선형구조 알킬 또는 에테르 작용기를 포함하는 탄소수 5개 내지 20개의 가지형구조 알킬이고,상기 m은 300 내지 4500의 정수이고,상기 X는 염소(Cl), 브롬(Br), 요오드(I), 질산염(NO3), 황산염(SO4), 탄산염(CO3) 또는 수산기(OH)를 포함함
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제1항에 있어서,상기 기판은 20㎛이하의 배선 피치를 가지는 것을 특징으로 하는 구리 전해 도금 방법
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제1항에 있어서,상기 전처리하는 단계는 상기 전처리 용액에 상기 제1평탄화제가 100 mg/l 내지 5000 mg/l의 농도로 첨가되는 것을 특징으로 하는 구리 전해 도금 방법
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제1항에 있어서,상기 제1평탄화제는 상기 구리막을 볼록하게 만드는 것을 특징으로 하는 구리 전해 도금 방법
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제1항에 있어서,상기 제2평탄화제는 상기 구리막을 오목하게 만드는 것을 특징으로 하는 구리 전해 도금 방법
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제1항에 있어서,상기 도금액에 상기 전처리한 기판을 침지하는 단계는 상기 도금액에 상기 제1평탄화제가 0
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제1항에 있어서,상기 도금액에 상기 전처리한 기판을 침지하는 단계는 상기 도금액에 상기 제2평탄화제가 0
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제1항에 있어서, 상기 억제제는, 폴리옥시알킬렌 글리콜, 카복시메틸셀룰로스, N-노닐페놀 폴리글리콜 에테르, 옥탄디올 비스 글리콜 에테르, 올레산 폴리 글리콜 에스테르, 폴리에틸렌 글리콜, 폴리에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 폴리에틸렌 글리콜-블록-폴리프로필렌 글리콜-블록-폴리에틸렌 글리콜, 폴리프로필렌 글리콜, 폴리비닐 알코올, 스테아릴 알코올 폴리글리콜 에테르, 스테아린산 폴리 글리콜 에스테르, 3-메틸-1-뷰타인-3-올, 3-메틸-펜텐-3-올, L-에틴닐사이클로헥사놀, 페닐 프로피놀, 3- 페닐-1-뷰타인-3-올, 프로파길 알코올, 메틸 뷰타이놀-에틸렌 옥사이드, 2-메틸-4-클로로 -3-뷰타인-2-올, 디메틸 헥사인디올, 디메틸헥사인디올-에틸렌 옥사이드, 디메틸옥타인디올, 페닐뷰타이놀 또는 1,4-부탄디올 디글리시딜 에테르를 포함하는 것을 특징으로 하는 구리 전해 도금 방법
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제1항에 있어서, 상기 가속제는, O-에틸디티오카보네이토)-S-(3-설포프로필)-에스테르, 3 - [(아미노-이미노메틸)-티올]-1-프로판 술폰산, 3-(벤조티아졸-2-머캅토)-프로필 술폰산, 소디움 비스-(술포프로필)-디설파이드, N, N-디메틸 디티오카바마일 프로필 술폰산, 3,3-티오비스(1-프로판 술폰산), 2-히드록시-3-[트리스(히드록시메틸)메틸아미노]-1-프로판 술폰산, 소디움 2,3-디머캡토프로판 술폰산, 3-머캅토 -1-프로판 설폰산, N,N-비스(4-설포부틸)-3,5-디메틸아닐린, 소디움 2-머캅토-5- 벤지이미다졸 술폰산, 5,5'-디티오비스(2-니트로 벤조산), DL-시스테인, 4-머캅토-벤젠 설폰산 또는 5-머캅토-1H-테트라졸-1-메탄 술폰산을 포함하는 것을 특징으로 하는 구리 전해 도금 방법
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제1항에 있어서, 상기 가속제 및 상기 억제제는 각각 독립적으로 100 g/mol 내지 100,000 g/mol 범위의 분자량을 갖는 것을 특징으로 하는 구리 전해 도금 방법
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제1항에 있어서, 상기 가속제 및 상기 억제제는 각각 독립적으로 상기 도금액에 0
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제1항에 있어서,상기 구리막을 전착하는 단계는 1 ASD 내지 15 ASD(Ampere per square Decimeter)의 전류밀도 범위로 전류를 인가하는 것을 특징으로 하는 구리 전해 도금 방법
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제1항의 구리 전해 도금 방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 구리 전해 도금품
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