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a) 기판 상부에 제1N클래드층,제1활성층,제1P클래드층이 순차적으로 적층된 제1반도체 적층물; 상기 제1반도체 적층물 상에 제1 반도체 적층물 및 제2반도체 적층물과 다른 절연성을 갖는 이종 반도체 물질이 적층된 분리층; 및 상기 분리층에 제2N클래드층,제2활성층,제2P클래드층이 순차적으로 적층된 제2반도체 적층물;을 순차적으로 적층하는 단계;b) 상기 분리층의 양측 상면이 노출되도록 상기 제2반도체 적층물의 양측 각각을 식각하는 단계;c) 상기 제2반도체 적층물의 제2P클래드층에 제2P전극을 형성하고, 노출된 상기 분리층의 양측 상면 중 하나의 영역에 제2N전극을 형성하는 단계;d) 노출된 상기 분리층의 양측 상면 중 다른 하나의 영역에 해당하고 상기 제2N전극이 형성되지 않은 상기 분리층 영역을 상기 제2반도체 적층물의 식각된 측벽을 따라 식각하여 상기 제1반도체 적층물의 제1P클래드층을 노출시키는 단계;e) 노출된 상기 제1반도체 적층물의 제1P클래드층에 제1P전극을 형성하는 단계;f) 상기 기판 하부 일부 영역을 제외하고 상기 기판 하부에 반사판을 형성하는 단계; g) 상기 반사판이 형성되지 않은 상기 기판 하부 일부 영역에 제1N전극을 형성하여 다중 발광 다이오드를 제조하는 단계; 및h) 상기 g)단계에서 제조된 다중 발광다이오드를 서브마운트에 실장하고, 상기 서브마운트의 제1전극단자에 제1P전극과 제2P전극을 와이어 본딩하며, 상기 다중 발광다이오드를 서브마운트에 실장할 때 제1N전극을 서브마운트의 제2전극단자에 본딩하고, 제2N전극을 제2전극단자에 와이어 본딩하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 일체형 다중 발광다이오드 제조방법
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a) 기판 상부에 제1N클래드층,제1활성층,제1P클래드층이 순차적으로 적층된 제1반도체 적층물; 상기 제1반도체 적층물 상에 제1 반도체 적층물 및 제2반도체 적층물과 다른 절연성을 갖는 이종 반도체 물질이 적층된 분리층; 및 상기 분리층에 제2N클래드층,제2활성층,제2P클래드층이 순차적으로 적층된 제2반도체 적층물;을 순차적으로 적층하는 단계;b) 상기 분리층의 양측 상면이 노출되도록 상기 제2반도체 적층물의 양측 각각을 식각하는 단계;c) 상기 제2반도체 적층물의 제2P클래드층에 제2P전극을 형성하고, 노출된 상기 분리층의 양측 상면 중 하나의 영역에 제2N전극을 형성하는 단계;d) 노출된 상기 분리층의 양측 상면 중 다른 하나의 영역에 해당하고 상기 제2N전극이 형성되지 않은 상기 분리층 영역을 상기 제2반도체 적층물의 식각된 측벽을 따라 식각하여 상기 제1반도체 적층물의 제1P클래드층을 노출시키는 단계;e) 노출된 상기 제1반도체 적층물의 제1P클래드층에 제1P전극을 형성하는 단계;f) 상기 기판 하부 일부 영역을 제외하고 상기 기판 하부에 반사판을 형성하는 단계; g) 상기 반사판이 형성되지 않은 상기 기판 하부 일부 영역에 제1N전극을 형성하여 다중 발광 다이오드를 제조하는 단계; 및h) 상기 g)단계에서 제조된 다중 발광다이오드를 서브마운트에 실장하고, 서브마운트의 제1전극단자에 제2P전극을 와이어 본딩하며, 제1P전극과 제2N전극을 와이어 본딩하고, 상기 다중 발광다이오드를 서브마운트에 실장할 때 제1N전극을 서브마운트의 제2전극단자에 본딩하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 일체형 다중 발광다이오드 제조방법
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a) 기판 상부에 제1N클래드층,제1활성층,제1P클래드층이 순차적으로 적층된 제1반도체 적층물; 상기 제1반도체 적층물 상에 절연성을 갖고, 제1반도체 적층물의 반도체 물질과 제2반도체 적층물의 반도체 물질과 다른 이종 반도체 물질이 적층된 제1분리층; 상기 제1분리층에 제2N클래드층,제2활성층,제2P클래드층이 순차적으로 적층된 제2반도체 적층물; 상기 제2반도체 적층물 상에 절연성을 갖고, 제1반도체 적층물의 반도체 물질과 제2반도체 적층물의 반도체 물질과 다른 이종 반도체 물질이 적층된 제2분리층; 및 상기 제2분리층에 제3N클래드층,제3활성층,제3P클래드층이 순차적으로 적층된 제3반도체 적층물;을 순차적으로 적층하는 단계; b) 상기 제1분리층의 양측 상면이 노출되도록 상기 제2반도체 적층물의 양측 각각을 식각하고, 노출된 상기 제1분리층의 양측 상면 중 일측의 상면의 제1분리층 영역을 상기 제2반도체 적층물의 식각된 측벽을 따라 식각하여 상기 제1반도체 적층물의 제1P클래드층을 노출시키고, 상기 제2분리층의 양측 상면이 노출되도록 상기 제3반도체 적층물의 양측 각각을 식각하고, 노출된 상기 제2분리층의 양측 상면 중 일측의 상면의 제2분리층 영역을 상기 제3반도체 적층물의 식각된 측벽을 따라 식각하여 상기 제2반도체 적층물의 제2P클래드층을 노출시키는 단계;c) 노출된 상기 제1반도체 적층물의 제1P클래드층에 제1P전극을 형성하고, 노출된 상기 제1분리층에 제2N전극을 형성하고, 노출된 상기 제2반도체 적층물의 제2P클래드층에 제2P전극을 형성하고, 노출된 상기 제2분리층에 제3N전극을 형성하고, 상기 제3반도체 적층물의 제3P클래드층에 제3P전극을 형성하는 단계; d) 상기 기판 하부 일부 영역을 제외하고 상기 기판 하부에 반사판을 형성하는 단계; e) 상기 반사판이 형성되지 않은 상기 기판 하부 일부 영역에 제1N전극을 형성하여 다중 발광 다이오드를 제조하는 단계; 및f) 상기 e)단계에서 제조된 다중 발광다이오드를 서브마운트에 실장하고, 서브마운트의 제1전극단자에 제1P전극, 제2N전극, 제3P전극을 와이어 본딩하고, 상기 다중 발광다이오드를 서브마운트에 실장할 때 제1N전극을 서브마운트의 제2전극단자에 본딩하고 제2P전극과 제3N전극을 와이어 본딩하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 일체형 다중 발광다이오드 제조방법
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a) 기판 상부에 제1N클래드층,제1활성층,제1P클래드층이 순차적으로 적층된 제1반도체 적층물; 상기 제1반도체 적층물 상에 절연성을 갖고, 제1반도체 적층물의 반도체 물질과 제2반도체 적층물의 반도체 물질과 다른 이종 반도체 물질이 적층된 제1분리층; 상기 제1분리층에 제2N클래드층,제2활성층,제2P클래드층이 순차적으로 적층된 제2반도체 적층물; 상기 제2반도체 적층물 상에 절연성을 갖고, 제1반도체 적층물의 반도체 물질과 제2반도체 적층물의 반도체 물질과 다른 이종 반도체 물질이 적층된 제2분리층; 및 상기 제2분리층에 제3N클래드층,제3활성층,제3P클래드층이 순차적으로 적층된 제3반도체 적층물;을 순차적으로 적층하는 단계; b) 상기 제1분리층의 양측 상면이 노출되도록 상기 제2반도체 적층물의 양측 각각을 식각하고, 노출된 상기 제1분리층의 양측 상면 중 일측의 상면의 제1분리층 영역을 상기 제2반도체 적층물의 식각된 측벽을 따라 식각하여 상기 제1반도체 적층물의 제1P클래드층을 노출시키고, 상기 제2분리층의 양측 상면이 노출되도록 상기 제3반도체 적층물의 양측 각각을 식각하고, 노출된 상기 제2분리층의 양측 상면 중 일측의 상면의 제2분리층 영역을 상기 제3반도체 적층물의 식각된 측벽을 따라 식각하여 상기 제2반도체 적층물의 제2P클래드층을 노출시키는 단계;c) 노출된 상기 제1반도체 적층물의 제1P클래드층에 제1P전극을 형성하고, 노출된 상기 제1분리층에 제2N전극을 형성하고, 노출된 상기 제2반도체 적층물의 제2P클래드층에 제2P전극을 형성하고, 노출된 상기 제2분리층에 제3N전극을 형성하고, 상기 제3반도체 적층물의 제3P클래드층에 제3P전극을 형성하는 단계; d) 상기 기판 하부 일부 영역을 제외하고 상기 기판 하부에 반사판을 형성하는 단계; e) 상기 반사판이 형성되지 않은 상기 기판 하부 일부 영역에 제1N전극을 형성하여 다중 발광 다이오드를 제조하는 단계; 및상기 e)단계에서 제조된 다중 발광다이오드를 서브마운트에 실장하고, 상기 서브마운트의 제1전극단자에 제1P전극, 제2P전극과 제3P전극을 와이어 본딩하며, 상기 다중 발광다이오드를 서브마운트에 실장할 때 제1N전극을 상기 서브마운트의 제2전극단자에 본딩하고 제2N전극 및 제3N전극을 제2전극단자에 와이어 본딩하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 일체형 다중 발광다이오드 제조방법
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a) 기판 상부에 제1N클래드층,제1활성층,제1P클래드층이 순차적으로 적층된 제1반도체 적층물; 상기 제1반도체 적층물 상에 절연성을 갖고, 제1반도체 적층물의 반도체 물질과 제2반도체 적층물의 반도체 물질과 다른 이종 반도체 물질이 적층된 제1분리층; 상기 제1분리층에 제2N클래드층,제2활성층,제2P클래드층이 순차적으로 적층된 제2반도체 적층물; 상기 제2반도체 적층물 상에 절연성을 갖고, 제1반도체 적층물의 반도체 물질과 제2반도체 적층물의 반도체 물질과 다른 이종 반도체 물질이 적층된 제2분리층; 및 상기 제2분리층에 제3N클래드층,제3활성층,제3P클래드층이 순차적으로 적층된 제3반도체 적층물;을 순차적으로 적층하는 단계; b) 상기 제1분리층의 양측 상면이 노출되도록 상기 제2반도체 적층물의 양측 각각을 식각하고, 노출된 상기 제1분리층의 양측 상면 중 일측의 상면의 제1분리층 영역을 상기 제2반도체 적층물의 식각된 측벽을 따라 식각하여 상기 제1반도체 적층물의 제1P클래드층을 노출시키고, 상기 제2분리층의 양측 상면이 노출되도록 상기 제3반도체 적층물의 양측 각각을 식각하고, 노출된 상기 제2분리층의 양측 상면 중 일측의 상면의 제2분리층 영역을 상기 제3반도체 적층물의 식각된 측벽을 따라 식각하여 상기 제2반도체 적층물의 제2P클래드층을 노출시키는 단계;c) 노출된 상기 제1반도체 적층물의 제1P클래드층에 제1P전극을 형성하고, 노출된 상기 제1분리층에 제2N전극을 형성하고, 노출된 상기 제2반도체 적층물의 제2P클래드층에 제2P전극을 형성하고, 노출된 상기 제2분리층에 제3N전극을 형성하고, 상기 제3반도체 적층물의 제3P클래드층에 제3P전극을 형성하는 단계; d) 상기 기판 하부 일부 영역을 제외하고 상기 기판 하부에 반사판을 형성하는 단계; 및e) 상기 반사판이 형성되지 않은 상기 기판 하부 일부 영역에 제1N전극을 형성하여 다중 발광 다이오드를 제조하는 단계; 및f) 상기 e)단계에서 제조된 다중 발광다이오드를 서브마운트에 실장하고, 상기 서브마운트의 제1전극단자에 제3P전극을 와이어 본딩하며, 제1P전극과 제2N전극을 와이어 본딩하고, 제2P전극과 제3N전극을 와이어 본딩하며, 상기 다중 발광다이오드를 서브마운트에 실장할 때 제1N전극을 상기 서브마운트의 제2전극단자에 본딩하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 일체형 다중 발광다이오드 제조방법
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제4항, 제6항, 제10항 내지 제12항중 어느 한 항에 있어서, 상기 분리층은 Fe가 도핑된 절연성 이종 반도체층에 N타입 이종 반도체층이 적층된 구조, 언도프된(undoped) 절연성 이종 반도체층에 N타입 이종 반도체층이 적층된 구조, N타입 이종 반도체층, P타입 이종 반도체층에 N타입 이종 반도체층이 적층된 구조, N타입 이종 반도체층에 P타입 이종 반도체층이 적층된 구조, N타입 이종 반도체층에 P타입 이종 반도체층 및 N타입 이종 반도체층이 순차적으로 적층된 구조, P타입 이종 반도체층에 N타입 이종 반도체층 및 P타입 이종 반도체층이 순차적으로 적층된 구조 중 하나인 것을 특징으로 하는 일체형 다중 발광다이오드 제조방법
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