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하기 화학식 1 트리메틸설폭소늄 리드 트리아이오다이드(trimethylsulfoxonium lead triiodide)
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결정성의 하기 화학식 1 트리메틸설폭소늄 리드 트리아이오다이드(trimethylsulfoxonium lead triiodide)을 포함한 유무기 복합 광활성층을 적용한 태양전지
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제2항에 있어서,상기 유무기 복합 광활성층을 적용한 태양전지는 투명전도성 전극과, 상기 투명전도성 전극상에 형성된 무기산화물층과, 상기 무기산화물층상에 형성된 유무기 복합 광활성층과, 상기 유무기 복합 광활성층상에 형성된 정공전달체층 및 상기 정공전달체층상에 형성된 상대전극을 포함한 구조인 유무기 복합 광활성층을 적용한 태양전지
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제3항에 있어서,상기 투명 전도성 전극은 FTO, ITO, 평균 두께가 1 내지 1000nm인 금속, 금속 질화물, 금속 산화물, 탄소화합물 및 전도성 고분자로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상의 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유무기 복합 광활성층을 적용한 태양전지
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제3항에 있어서,상기 무기산화물층은 고밀도 무기산화물층 및 다공성 무기산화물층의 이중구조인 것을 특징으로 하는 유무기 복합 광활성층을 적용한 태양전지
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제5항에 있어서,상기 고밀도 및 다공성 무기산화물층은 각각 독립적으로 주석(Sn)산화물, 안티몬(Sb), 나이오븀(Nb) 또는 불소 도핑된 주석(Sn)산화물, 인듐(In)산화물, 주석 도핑된 인듐(In)산화물, 아연(Zn)산화물, 알루미늄(Al), 붕소(B), 갈륨(Ga), 수소(H), 인듐(In), 이트륨(Y), 타이타늄(Ti), 실리콘(Si) 또는 주석(Sn) 도핑된 아연(Zn)산화물, 마그네슘(Mg)산화물, 캐드뮴(Cd)산화물, 마그네슘아연(MgZn)산화물, 인듐아연(InZn)산화물, 구리알루미늄(CuAl)산화물, 실버(Ag)산화물, 갈륨(Ga)산화물, 아연주석산화물(ZnSnO), 타이타늄산화물(TiO2) 및 아연인듐주석(ZIS)산화물, 니켈(Ni)산화물, 로듐(Rh)산화물, 루세늄(Ru)산화물, 이리듐(Ir)산화물, 구리(Cu)산화물, 코발트(Co)산화물, 텅스텐(W)산화물, 티타늄(Ti)산화물, 지르코늄(Zr)산화물, 스트론튬(Sr)산화물, 란타넘(La)산화물, 바나듐(V)산화물, 몰리브데넘(Mo)산화물, 나이오븀(Nb)산화물, 알루미늄(Al)산화물, 이트늄(Y)산화물, 스칸듐(Sc)산화물, 사마륨(Sm)산화물 및 스트론튬타이타늄(SrTi)산화물로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 유무기 복합 광활성층을 적용한 태양전지
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제3항에 있어서,상기 정공전달체층은 spiro-MeOTAD (2,2',7'-tetrakis-(N,N-di-p-methoxyphenyl-amine)-9,9'spirobifluorene), CuSCN 및 P3HT(poly(3-hexylthiophene))로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 유무기 복합 광활성층을 적용한 태양전지
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제3항에 있어서,상기 상대전극은 금속, 금속 질화물, 금속 산화물, 탄소화합물 및 전도성 고분자로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상의 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유무기 복합 광활성층을 적용한 태양전지
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ⅰ)기재상에 투명전도성 전극을 형성하는 단계,;ⅱ)상기 투명전도성 전극상에 무기산화물층을 형성하는 단계,;ⅲ)상기 무기산화물층상에 결정상의 하기 화학식 1의 트리메틸설폭소늄 리드 트리아이오다이드(trimethylsulfoxonium lead triiodide)를 포함한 유무기 복합 광활성층을 형성하는 단계,;[화학식 1]ⅳ)상기 유무기 복합 광활성층상에 정공전달체층을 형성하는 단계 및;ⅴ)상기 정공전달체층상에 상대전극을 형성하는 단계를 포함한 유무기 복합 광활성층을 적용한 태양전지 제조방법
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제9항에 있어서,상기 유무기 복합 광활성층을 형성하는 ⅲ)단계는,a)상기 무기산화물층상에 PbI2를 코팅한 후 트리메틸설폭소늄 아이오다이드(trimethylsulfoxonium iodide, TMSOI) 용액에 침지하는 단계 및b)트리메틸설폭소늄 아이오다이드(trimethylsulfoxonium iodide, TMSOI) 용액에서 꺼낸 후 건조하여 결정성의 화학식 1의 트리메틸설폭소늄 리드 트리아이오다이드(trimethylsulfoxonium lead triiodide)층으로 형성하는 단계를 포함한 방법으로 제조한 것을 특징으로 하는 유무기 복합 광활성층을 적용한 태양전지 제조방법
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제9항에 있어서,상기 투명 전도성 전극은 FTO, ITO, 평균 두께가 1 내지 1000nm인 금속, 금속 질화물, 금속 산화물, 탄소화합물 및 전도성 고분자로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상의 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유무기 복합 광활성층을 적용한 태양전지 제조방법
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제9항에 있어서,상기 무기산화물층은 고밀도 무기산화물층 및 다공성 무기산화물층의 이중구조인 것을 특징으로 하는 유무기 복합 광활성층을 적용한 태양전지 제조방법
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제12항에 있어서,상기 고밀도 및 다공성 무기산화물층은 각각 독립적으로 주석(Sn)산화물, 안티몬(Sb), 나이오븀(Nb) 또는 불소 도핑된 주석(Sn)산화물, 인듐(In)산화물, 주석 도핑된 인듐(In)산화물, 아연(Zn)산화물, 알루미늄(Al), 붕소(B), 갈륨(Ga), 수소(H), 인듐(In), 이트륨(Y), 타이타늄(Ti), 실리콘(Si) 또는 주석(Sn) 도핑된 아연(Zn)산화물, 마그네슘(Mg)산화물, 캐드뮴(Cd)산화물, 마그네슘아연(MgZn)산화물, 인듐아연(InZn)산화물, 구리알루미늄(CuAl)산화물, 실버(Ag)산화물, 갈륨(Ga)산화물, 아연주석산화물(ZnSnO), 타이타늄산화물(TiO2) 및 아연인듐주석(ZIS)산화물, 니켈(Ni)산화물, 로듐(Rh)산화물, 루세늄(Ru)산화물, 이리듐(Ir)산화물, 구리(Cu)산화물, 코발트(Co)산화물, 텅스텐(W)산화물, 티타늄(Ti)산화물, 지르코늄(Zr)산화물, 스트론튬(Sr)산화물, 란타넘(La)산화물, 바나듐(V)산화물, 몰리브데넘(Mo)산화물, 나이오븀(Nb)산화물, 알루미늄(Al)산화물, 이트늄(Y)산화물, 스칸듐(Sc)산화물, 사마륨(Sm)산화물 및 스트론튬타이타늄(SrTi)산화물로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 유무기 복합 광활성층을 적용한 태양전지 제조방법
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제9항에 있어서,상기 정공전달체층은 spiro-MeOTAD (2,2',7'-tetrakis-(N,N-di-p-methoxyphenyl-amine)-9,9'spirobifluorene), CuSCN 및 P3HT(poly(3-hexylthiophene))로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 유무기 복합 광활성층을 적용한 태양전지 제조방법
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제9항에 있어서,상기 상대전극은 금속, 금속 질화물, 금속 산화물, 탄소화합물 및 전도성 고분자로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상의 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유무기 복합 광활성층을 적용한 태양전지 제조방법
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