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복수의 스위칭 소자들로 구성되는 풀 브리지 인버터, 상기 풀 브리지 인버터의 출력이 1차측에 연결되고 2차측에 정류기가 연결된 변압기, 및 상기 변압기의 2차측으로부터 입력되는 교류 전압을 직류 전압으로 변환하여 부하측으로 출력하는 상기 정류기를 포함하는 전력 공급 장치의 상기 풀 브리지 인버터의 스위칭을 제어하는 스위칭 제어 장치로서,상기 정류기로부터 상기 부하측으로 출력되는 전압에 반비례하는 데드 타임을 생성하며, 상기 복수의 스위칭 소자들의 스위칭 제어 신호에 상기 데드 타임을 삽입하여 상기 복수의 스위칭 소자들로 출력하고,상기 풀 브리지 인버터 스위칭 제어 장치는상기 정류기로부터 상기 부하측으로 출력되는 전압값에 따라서 상기 풀 브리지 인버터가 출력하는 전압의 듀티 사이클을 나타내는 듀티 전압값을 출력하는 듀티 결정부;상기 듀티 전압값과 삼각파를 비교하여 상기 풀 브리지 인버터가 출력하는 출력 전압의 듀티 사이클을 갖는 전압 파형을 출력하는 비교부;상기 풀 브리지 인버터가 상기 비교부로부터 입력된 전압 파형과 동일한 듀티 사이클을 갖는 전압을 출력하도록 상기 복수의 스위칭 소자들의 스위칭 제어 신호를 생성하는 제어 신호 생성부;상기 듀티 전압값을 이용하여 상기 스위칭 제어 신호에 삽입될 데드 타임을 생성하고 데드 타임에 대응되는 데드 타임 전압 신호를 출력하는 데드 타임 생성부; 및상기 데드 타임 생성부에서 생성된 데드 타임을 상기 스위칭 제어 신호에 삽입하여 상기 풀 브리지 인버터의 각 스위칭 소자로 출력하여 제어하는 제어 신호 출력부를 포함하며,상기 데드 타임 생성부는 아래의 수학식에 따라서 데드 타임(Tdead)을 생성하되, Coss 는 MOSFET의 출력 커패시턴스, Ts는 스위칭 주기, Vsaw
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제 2 항에 있어서, 상기 듀티 결정부는상기 정류기로부터 상기 부하측으로 출력되는 전압값과 사전에 정의된 기준값과의 차에 따라서 상기 듀티 전압값을 출력하는 것을 특징으로 하는 풀 브리지 인버터 스위칭 제어 장치
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제 3 항에 있어서, 상기 듀티 결정부는상기 부하측으로 출력되는 전압값이 클수록 더 작은 듀티 전압값을 출력하는 것을 특징으로 하는 풀 브리지 인버터 스위칭 제어 장치
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제 4 항에 있어서, 상기 데드 타임 생성부에서 생성되는 데드 타임은 상기 듀티 전압값이 클수록 더 큰 값으로 생성되는 것을 특징으로 하는 풀 브리지 인버터 스위칭 제어 장치
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스위칭 소자들로 구성되는 풀 브리지 인버터; 상기 풀 브리지 인버터의 출력이 1차측에 연결되고 2차측에 정류기가 연결된 변압기; 상기 변압기의 2차측으로부터 입력되는 교류 전압을 직류 전압으로 변환하여 부하측으로 출력하는 상기 정류기; 및상기 스위칭 소자들의 스위칭 제어 신호를 상기 풀 브리지 인버터로 출력하는, 상기 제 2 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항의 풀 브리지 인버터 스위칭 제어 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 전력 공급 시스템
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복수의 스위칭 소자들로 구성되는 풀 브리지 인버터, 상기 풀 브리지 인버터 의 출력이 1차측에 연결되고 2차측에 정류기가 연결된 변압기, 및 상기 변압기의 2 차측으로부터 입력되는 교류 전압을 직류 전압으로 변환하여 부하측으로 출력하는 상기 정류기를 포함하는 전력 공급 장치의 상기 풀 브리지 인버터의 스위칭 소자들을, 스위칭 제어 장치에서 제어하는 풀 브리지 인버터 스위칭 제어 방법으로서,상기 풀 브리지 인버터 스위칭 제어 방법은상기 정류기로부터 상기 부하측으로 출력되는 전압에 반비례하는 데드 타임을 생성하며, 상기 복수의 스위칭 소자들의 스위칭 제어 신호에 상기 데드 타임을 삽입하여 상기 복수의 스위칭 소자들로 출력하는 것을 특징으로 하되,(a) 상기 스위칭 제어 장치가 상기 정류기로부터 상기 부하측으로 출력되는 전압값에 따라서 상기 풀 브리지 인버터가 출력하는 전압의 듀티 사이클을 나타내는 듀티 전압값을 생성하는 단계;(b) 상기 스위칭 제어 장치가 상기 듀티 전압값과 삼각파를 비교하여 상기 풀 브리지 인버터가 출력하는 출력 전압의 듀티 사이클을 갖는 전압 파형을 생성하는 단계;(c) 상기 스위칭 제어 장치가 상기 풀 브리지 인버터가 상기 (b) 단계에서 생성된 전압 파형과 동일한 듀티 사이클을 갖는 전압을 출력하도록 상기 복수의 스위칭 소자들의 스위칭 제어 신호를 생성하는 단계;(d) 상기 스위칭 제어 장치가 상기 듀티 전압값을 이용하여 상기 스 위칭 제어 신호에 삽입될 데드 타임을 생성하고 데드 타임에 대응되는 데드 타임 전압 신호를 생성하는 단계; 및(e) 상기 스위칭 제어 장치가 상기 데드 타임 전압 신호에 따라서 상기 데드 타임을 상기 스위칭 제어 신호에 삽입하여 상기 풀 브리지 인버터의 각 스위칭 소자로 출력하여 제어하는 단계를 포함하고,상기 데드 타임(Tdead)은 아래의 수학식에 따라서 생성되되,Coss 는 MOSFET의 출력 커패시턴스, Ts는 스위칭 주기, Vsaw
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제 9 항에 있어서, 상기 (a) 단계는상기 정류기로부터 상기 부하측으로 출력되는 전압값과 사전에 정의된 기준값과의 차에 따라서 상기 듀티 전압값을 생성하는 것을 특징으로 하는 풀 브리지 인버터 스위칭 제어 방법
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제 10 항에 있어서, 상기 (a) 단계는상기 부하측으로 출력되는 전압값이 클수록 더 작은 듀티 전압값을 생성하는 것을 특징으로 하는 풀 브리지 인버터 스위칭 제어 방법
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제 11 항에 있어서, 상기 (d) 단계에서 생성되는 데드 타임은 상기 듀티 전압값이 클수록 더 큰 값으로 생성되는 것을 특징으로 하는 풀 브리지 인버터 스위칭 제어 방법
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