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염산 또는 수산화암모늄인 제1 부;불소계 화합물, 실리콘계 화합물, 또는 이들의 조합인 제2 부; 및용매;를 포함하고,상기 실리콘계 화합물은 하기 화학식 1로 표시되고,003c#화학식 1003e#상기 화학식 1에서,R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소, 하이드록실기, C1~C20의 알킬기, C1~C20의 아미노알킬기, C1~C20의 알콕시기, C1~C20의 아세틸옥시기 및 C1~C20의 할로알킬아세틸옥시기로 이루어진 군에서 선택된 하나이고,하기 (a) 내지 (e)를 만족하는 실리콘 질화막 식각 조성물:(a) X/Y는 0
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제1항에 있어서,상기 제1 부는 염산이고,상기 실리콘 질화막 식각 조성물 중 상기 염산의 함량은 0
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제1항에 있어서,상기 제1 부는 수산화암모늄이고,상기 실리콘 질화막 식각 조성물 중 상기 수산화암모늄의 함량은 0
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제1항에 있어서,상기 제2 부는 불소계 화합물 및 실리콘계 화합물의 조합이고,상기 실리콘 질화막 식각 조성물 중 상기 불소계 화합물의 함량은 0
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제1항에 있어서,상기 제2 부는 실리콘계 화합물이고,상기 실리콘 질화막 식각 조성물 중 상기 실리콘계 화합물의 함량은 0
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삭제
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제1항에 있어서,상기 불소계 화합물은 HF, NH4F, NH4HF2, H2SiF6 및 이들 중 2 이상의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 하나인 실리콘 질화막 식각 조성물
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제1항에 있어서,상기 용매는 물, 극성 유기용매, 또는 이들의 조합인 실리콘 질화막 식각 조성물
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제1항에 있어서,상기 실리콘 질화막 식각 조성물의,160℃에서 실리콘 질화막 식각 속도는 35Å/분 이상이고,160℃에서 실리콘 산화막에 대한 실리콘 질화막의 식각 선택비는 100
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제1항에 있어서,상기 실리콘 질화막 식각 조성물은 인산을 포함하지 않는 실리콘 질화막 식각 조성물
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제1항 내지 제5항, 제8항, 제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따른 실리콘 질화막 식각 조성물을 이용하여 실리콘 질화막을 식각하는 공정에 있어서,상기 실리콘 질화막 식각 조성물 및 웨이퍼를 반응기에 투입하고, 상기 반응기를 100℃ 이상으로 가열하여 상기 반응기 내부에 대기압 이상의 가압 조건을 형성하는 공정
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