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기판;상기 기판상에 형성되고, n형 반도체 층, 활성층 및 p형 반도체 층이 적층된 반도체 층;상기 n형 반도체 층에 형성된 n 형 전극과 상기 p형 반도체 층에 형성된 p형 전극; 및상기 p형 반도체 층과 p형 전극 사이에 형성된 금속 패턴과 금속 산화물 나노 입자를 포함하는 반사전극;을 포함하는 나노 입자를 이용한 고효율 LED
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제1항에 있어서,상기 금속 패턴은 로드 패턴(Rod pattern) 또는 홀 패턴(hole pattern) 형태로 이루어진 금속 패턴인 나노 입자를 이용한 고효율 LED
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제2항에 있어서,상기 홀 패턴(hole pattern)의 직경 크기는 6 내지 10 μm인 나노 입자를 이용한 고효율 LED
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제2항에 있어서,상기 홀 패턴(hole pattern)의 각 홀들 사이의 간격 피치는 20 내지 30 μm이고, 깊이는 70 내지 80 μm인 나노 입자를 이용한 고효율 LED
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제1항에 있어서,상기 금속 패턴은 알루미늄(Al) 금속 패턴인 나노 입자를 이용한 고효율 LED
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제1항에 있어서,상기 금속 산화물 나노 입자는 ITO(Indium-Tin-Oxide)인 나노 입자를 이용한 고효율 LED
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제1항에 있어서,상기 금속 산화물 나노 입자의 입경 크기는 12 내지 18nm인 나노 입자를 이용한 고효율 LED
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