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나노 사이즈의 금속 격자 패턴이 형성된 기판;상기 기판상에 형성되고, n형 반도체 층, 활성층 및 p형 반도체 층이 적층된 반도체 층; 및상기 n형 반도체 층에 형성된 n 형 전극과 상기 p형 반도체 층에 형성된 p형 전극;을 포함하는 나노 금속 격자를 이용한 편광 LED
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제1항에 있어서,상기 나노 사이즈 금속 격자 패턴에서 1개의 금속 격자의 두께와 금속 격자 사이의 간격을 합한 격자 패턴 주기는 90 내지 110nm인 나노 금속 격자를 이용한 편광 LED
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제1항에 있어서,상기 나노 사이즈 금속 격자 패턴에서 금속 격자의 높이는 40 내지 60nm인 나노 금속 격자를 이용한 편광 LED
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제1항에 있어서,상기 나노 사이즈 금속 격자 패턴에서 금속 격자는 알루미늄(Al)로 이루어진 나노 금속 격자를 이용한 편광 LED
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제1항에 있어서,상기 나노 사이즈 금속 격자 패턴은 전자빔 리소스래피에 의해 형성된 나노 금속 격자를 이용한 편광 LED
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제1항에 있어서,상기 p형 반도체 층과 형성된 p형 전극 사이에는 90 내지 110nm 두께의 투명전극이 형성되는 나노 금속 격자를 이용한 편광 LED
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상기 기판과 반도체층 사이에는 GaN 또는 AlN/GaN으로 이루어진 버퍼층이 형성되어 있는 나노 금속 격자를 이용한 편광 LED
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