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제1 도전형 불순물로 도핑된 제1 도전형 드리프트층;상기 제1 도전형 드리프트층의 상면에 형성되며, 제2 도전형 불순물로 도핑된 제2 도전형 베이스;상기 제2 도전형 베이스의 내부에 형성되며, 상기 제1 도전형 불순물로 도핑된 제1 도전형 에미터 영역; 상기 제2 도전형 베이스에 인접하게 형성된 게이트; 및상기 제1 도전형 드리프트층의 하부에 형성되며, 상기 제1 도전형 불순물로 도핑된 제1 도전형 버퍼층을 포함하되,상기 제1 도전형 버퍼층의 두께는 0
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청구항 1에 있어서, 상기 게이트는, 상기 제1 도전형 드리프트층, 제2 도전형 베이스 및 상기 제1 도전형 에미터 영역의 상부에 형성되며, 상기 제1 도전형 드리프트층의 두께는 110 um인 전력 반도체
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청구항 1에 있어서, 상기 게이트는, 상기 제1 도전형 드리프트층의 상부에 형성된 트렌치 내부에 형성되어 상기 제1 도전형 에미터 영역 상기 제2 도전형 베이스의 측면에 접하며, 제1 도전형 드리프트층의 두께는 180 um인 전력 반도체
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청구항 3에 있어서, 상기 게이트의 깊이는 3um이고 폭은 10um인 전력 반도체
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청구항 1에 있어서, 상기 제1 도전형은 n형이며, 상기 제2 도전형은 p형인 전력 반도체
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