요약 | 본 발명은 전력 반도체에 관한 것이다. 본 발명에 따른 실시예는 슈퍼 정션 트랜지스터를 제공한다. 슈퍼 정션 트랜지스터는, N형 기판, 상기 N형 기판상에서 성장된 N형 드리프트층, 상기 N형 드리프트층의 하부로부터 수직 방향으로 상기 N형 드리프트층의 상면까지 형성된 복수의 P형 필라층이 결합하여 형성되는 P형 필라, 상기 P형 필라와 교번하여 상기 N형 드리프트층 내에 형성되는 N형 필라, 상기 P형 필라의 상부에 형성된 N형 소스 영역, 및 상기 P형 필라의 영역 일부 및 상기 N형 필라의 상부에 위치하며, 상기 P형 필라 및 상기 N형 필라와 전기적으로 절연된 게이트를 포함하되, 상기 P형 필라의 트렌치 식각 각도는 90도이다. |
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Int. CL | H01L 29/06 (2006.01.01) H01L 29/10 (2006.01.01) |
CPC | H01L 29/0634(2013.01) H01L 29/0634(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020180020579 (2018.02.21) |
출원인 | 극동대학교 산학협력단 |
등록번호/일자 | |
공개번호/일자 | 10-2019-0100992 (2019.08.30) 문서열기 |
공고번호/일자 | |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 공개 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | N |
심사청구항수 | 3 |