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a) 제1 용매에 원고분자를 용해하고 용해된 원고분자를 술폰화제와 반응시켜 제1 용매 내에서 석출되는 술폰화 고분자 석출액을 제조하는 단계 b) 상기 제1 용매보다 비점이 높고 제1 용매 내에서 석출된 술폰화 고분자를 용해할 수 있는 제2 용매를 상기 술폰화 고분자 석출액에 혼합하여 술폰화 고분자가 용해된 용액을 제조하는 단계 및 c) 상기 술폰화 고분자가 용해된 용액을 감압증류하여 제1 용매를 제거하는 단계를 포함하는 술폰화 고분자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 용매는 클로로포름, 디클로로메탄, 디클로로에탄 및 사염화탄소 중에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상을 포함하는 술폰화 고분자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제2 용매는 N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸아세트아미드, 디메틸설폭사이드, 디메틸포름아미드, 1,2-디클로로벤젠, 헥사메틸포스포아미드, 글리콜, 에틸렌글리콜, 테트라에틸렌글리콜, 디에틸렌트리아민, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 모노에탄올아민, 모노이소프로판올아민, 프로판올, 이소프로판올, 부탄올, 니트로에탄, 2-니트로프로판, 1,4-다이옥신, 플루오로에틸렌카보네이트, 프로필렌카보네이트 및 부틸렌카보네이트 중에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 양쪽성 용매를 포함하는 술폰화 고분자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 a) 단계에서, 상기 술폰화제는 클로로술폰산, 발연황산, 삼산화황, 황산 및 아실술페이트 중에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상을 포함하는 술폰화 고분자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 b) 단계에서, 상기 술폰화 고분자가 용해된 용액은 상기 술폰화 고분자 석출액 100 중량부에 대하여 상기 제2 용매 5 내지 100 중량부를 포함하는 술폰화 고분자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 c) 단계에서, 감압증류 시 온도는 30 내지 80℃인 술폰화 고분자의 제조 방법
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제1항에 있어서, d) 상기 제1 용매가 제거되고 술폰화 고분자가 제2 용매에 용해된 고분자 용액을 수득하는 단계를 더 포함하는 술폰화 고분자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 c) 단계에서 감압증류에 의해 분리된 제1 용매를 상기 a) 단계의 제1 용매로 재사용하여, 상기 a) 단계 내지 c) 단계를 거쳐 술폰화 고분자를 제조하는 단계를 더 포함하는 술폰화 고분자의 제조 방법
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제1항, 제3항 내지 제9항 중 어느 한 항의 술폰화 고분자의 제조 방법으로 제조되는 술폰화 고분자
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제10항의 술폰화 고분자로 제조되는 이온교환막
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