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기판;상기 기판 상에 성장된 복수의 나노 로드들이 융합되어 형성되는 나노 로드 결합체; 및상기 나노 로드 결합체 상에 성장된 복수의 나노 와이어로 이루어지는 나노 플라워;를 포함하는 나노 플라워 구조체
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제1항에 있어서,상기 기판은 Si 기판인 것을 특징으로 하는 나노 플라워 구조체
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제1항에 있어서,상기 나노 로드는,n 타입 AlGaN 으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노 플라워 구조체
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제1항에 있어서,상기 나노 로드 결합체는,상기 나노 로드들이 성장하고, 또한 인접한 나노 로드 사이에 형성된 빈 공간이 충진됨으로써 상기 나노 로드들 간의 융합이 이루어져 형성되는 것을 특징으로 하는 나노 플라워 구조체
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제1항에 있어서,상기 나노 와이어의 직경은 상기 나노 로드의 직경보다 더 작은 것을 특징으로 하는 나노 플라워 구조체
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제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따른 나노 플라워 구조체; 및상기 기판의 상면 양 측에 각각 접합되는 한 쌍의 금속 전극;을 포함하는 광전도 소자
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7
(a) 기판 상에 합금 액적을 형성하는 단계;(b) 상기 합금 액적에 알루미늄의 전구체, 갈륨의 전구체 및 질소의 전구체를 공급하면서 제1 온도 조건에서 AlGaN으로 이루어진 시드를 형성하는 단계;(c) 상기 AlGaN 시드에 알루미늄의 전구체, 갈륨의 전구체 및 질소의 전구체를 공급하면서 제2 온도 조건에서 AlGaN으로 이루어진 나노 로드를 형성하는 단계; 및(d) 상기 나노 로드에 알루미늄의 전구체, 갈륨의 전구체 및 질소의 전구체를 공급하면서 제3 온도 이상의 조건에서 상기 나노 로드보다 직경이 더 작은 복수의 나노 와이어를 성장시키고 이로써 복수의 상기 나노 와이어들이 모여서 이루어지는 나노 플라워를 수득하는 단계;를 포함하는 나노 플라워 구조체의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 (a) 단계는,(a1) 상기 기판 상에 촉매 금속 층을 증착하는 단계;(a2) 상기 촉매 금속 층 상에 갈륨의 전구체를 공급하여 갈륨 층을 형성하는 단계;(a3) 상기 촉매 금속 층 및 갈륨 층에 대한 열처리를 통해 합금 액적을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 플라워 구조체의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 (d) 단계는,(d1) 상기 나노 로드의 성장을 유도하고 상기 복수의 나노 로드들 사이에 형성된 빈 공간을 충진하여 나노 로드 결합체를 형성하는 단계;(d2) 상기 나노 로드 결합체 상에 상기 나노 와이어 성장을 위한 핵 생성처(nucleation site)로서 작용하는 나노 파티클을 형성하는 단계; 및(d3) 상기 나노 파티클을 따라서 상기 나노 와이어를 성장시켜 나노 플라워를 수득하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 플라워 구조체의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 제3 온도는 제2 온도보다 높고, 제2 온도는 제1 온도보다 높은 것을 특징으로 하는 나노 플라워 구조체의 제조 방법
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