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단결정 시료 중 쌍정결함밀도를 평가하는 방법에 있어서,(A) 단결정의 관찰면을 에칭하여 에치핏을 형성하는 단계;(B) 쌍정결함에 의한 에치핏을 선별하는 단계; 및(C) 상기 쌍정결함에 의한 에치핏의 장축방향 길이로부터 하기 수식에 의해 쌍정결함밀도를 평가하는 단계,쌍정결함밀도 = ∑kx'i/시료의 면적(이때, 2≤k≤3이고, x'i는 i번째 쌍정결함에 의한 에치핏의 장축방향 길이);를 포함하는 것을 특징으로 하는 쌍정결함밀도 평가 방법
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제 1 항에 있어서,상기 (B) 단계의 쌍정결함에 의한 에치핏은,바 형태로 에칭시간의 경과에 따라 단축방향 길이인 폭은 증가하나, 장축방향 길이는 변하지 않는 것을 특징으로 하는 쌍정결함밀도 평가 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 단결정 시료가 기판인 경우에는 k=2이며, 박막인 경우에는 k=3인 것을 특징으로 하는 쌍정결함밀도 평가 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 단결정 시료는 산화갈륨 단결정 또는 산화갈륨 단결정 박막인 것을 특징으로 하는 쌍정결함밀도 평가 방법
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제 4 항에 있어서,상기 산화갈륨 단결정 박막은 산화갈륨(-201) 단결정 기판 상에 형성된 에피층인 것을 특징으로 하는 쌍정결함밀도 평가 방법
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제 5 항에 있어서,상기 쌍정결함에 의한 에치핏의 장축방향은 [010] 방향인 것을 특징으로 하는 쌍정결함밀도 평가 방법
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