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기판; 및상기 기판 상에 형성되고, 주석(Sn), 텅스텐(W), 티타늄(Si) 및 아연(Zn)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함하는 산화물 나노와이어 어레이를 포함하는 감지막을 포함하는 아세틸렌 감지 센서
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제1항에 있어서,상기 산화물 나노와이어의 길이는 250nm 내지 400nm인 것을 특징으로 하는 아세틸렌 감지 센서
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제1항에 있어서,상기 산화물 나노와이어 간의 간격이 1nm 내지 100nm인 것을 특징으로 하는 아세틸렌 감지 센서
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제1항에 있어서,상기 산화물 나노와이어 어레이는 스침각 증착(Glancing angle deposition; GLAD) 공정을 통해 증착된 것을 특징으로 하는 아세틸렌 감지 센서
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제1항에 있어서,상기 산화물 나노와이어 어레이 표면에 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 팔라듐산화물(PdO), 니켈산화물(NiO), 사마륨산화물(Sm2O3), 환원그래핀산화물(rGO), 니켈(Ni), 은(Ag), 금(Au) 및 구리산화물(CuO)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 금속을 포함하는 촉매가 형성된 것을 특징으로 하는 아세틸렌 감지 센서
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제1항에 있어서,상기 아세틸렌 감지 센서는 50℃ 내지 500℃의 온도에서 작동하는 것을 특징으로 하는아세틸렌 감지 센서
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제1항에 있어서,상기 아세틸렌 감지 센서는 건조 공기 중 또는 절연유 중에서 10ppm 농도의 아세틸렌에 대한 하기 수학식 1에 따른 최대 반응도(Maximum Response)가 10%이상인 아세틸렌 감지 센서:[수학식 1] 상기 수학식 1에서 R0는 아세틸렌 감지 전 저항값이고, Rg min는 아세틸렌 감지 후 최소 저항값이다
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(a) 기판을 준비하는 단계; 및 (b) 상기 기판 상에 주석(Sn), 텅스텐(W), 티타늄(Si) 및 아연(Zn)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함하는 산화물 나노와이어 어레이를 증착시켜 감지막을 형성하는 단계를 포함하는아세틸렌 감지 센서의 제조방법
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제8항에 있어서,(c) 상기 산화물 나노와이어 어레이 표면에 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 팔라듐산화물(PdO), 니켈산화물(NiO), 사마륨산화물(Sm2O3), 환원그래핀산화물(rGO), 니켈(Ni), 은(Ag), 금(Au) 및 구리산화물(CuO)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 금속을 포함하는 촉매를 형성하는 단계를 추가로 포함하는 아세틸렌 감지 센서의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 (b) 단계에서 산화물 나노 어레이의 증착은 스침각 증착(Glancing angle deposition; GLAD) 공정을 통해 수행되는 것을 특징으로 하는 아세틸렌 감지 센서의 제조방법
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전원을 공급하기 위한 전원부;상기 전원부에서 공급된 전원으로부터 센싱부의 동작을 구동시키기 위한 구동부;제1항 내지 제7항 중 어느한 항에 따른 아세틸렌 감지 센서를 포함하는 센싱부; 상기 센싱부에서 검출된 전류의 크기로부터 계산된 저항값으로부터 하기 수학식 2에 따른 반응도(Response)를 계산하고, 기준 반응도와 비교함으로써 아세틸렌 감지 여부를 판단하기 위한 판단부; 및 상기 판단부에서 판단된 결과를 표시하기 위한 표시부를 포함하는아세틸렌 감지 시스템:[수학식 2] 상기 수학식 2에서 R0는 아세틸렌 감지 전 저항값이고, Rg는 아세틸렌 감지 후 저항값이다
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