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제1 인버터;상기 제1 인버터와 직접적으로 연결되거나 또는 다른 적어도 하나의 인버터를 통하여 간접적으로 연결된 제N 인버터; 및상기 제1 인버터를 외부 및 상기 제N 인버터 중 어느 하나에 선택적으로 연결하는 스위치;를 포함하되,상기 제1 인버터는,제어된 스트레스 트랜지스터; 상기 제어된 스트레스 트랜지스터와 직렬로 연결된 비제어된 스트레스 트랜지스터;상기 비제어된 스트레스 트랜지스터를 IN 노드에 선택적으로 연결시키는 전달 게이트 트랜지스터; 상기 스트레스 트랜지스터 및 상기 비제어된 스트레스 트랜지스터의 바이어싱을 수행하는 스트레스 모드 바이어싱 트랜지스터; 및 상기 바이어싱의 온/오프를 수행하는 전원 스위치 트랜지스터;를 포함하는 회로 성능 저하 측정 장치
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제1 항에 있어서,상기 스위치의 동작에 따라서, 방사 스트레스 모드 및 측정 모드 중 적어도 하나로 선택적으로 동작하는 회로 성능 저하 측정 장치
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제2항에 있어서,상기 스위치는, 상기 측정 모드에서, 상기 제1 인버터 및 상기 제N 인버터를 상호 연결시켜 피드백 경로를 형성시키는 회로 성능 저하 측정 장치
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제3항에 있어서,상기 스위치는, 상기 방사 스트레스 모드에서 상기 제1 인버터 및 상기 제N 인버터 사이의 연결을 차단하는 회로 성능 저하 측정 장치
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제2항에 있어서,상기 방사 스트레스 모드 및 측정 모드로의 스위칭에 따라 발생되는 주파수를 측정하는 계수기;를 더 포함하는 회로 성능 저하 측정 장치
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제2항에 있어서,상기 비제어된 스트레스 트랜지스터는,제1 비제어된 스트레스 트랜지스터; 및상기 제1 비제어된 스트레스 트랜지스터와 연결되고 제2 비제어된 스트레스 트랜지스터를 더 포함하는 회로 성능 저하 측정 장치
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제6항에 있어서,상기 전달 게이트 트랜지스터는, 상기 제1 비제어된 스트레스 트랜지스터를 IN 노드 및 외부 중 어느 하나와 선택적으로 연결하거나, 또는 상기 제2 비제어된 스트레스 트랜지스터를 IN 노드 및 가상 드레인 전원 중 어느 하나와 선택적으로 연결시키는 회로 성능 저하 측정 장치
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제7항에 있어서,상기 제1 비제어된 스트레스 트랜지스터 및 상기 제2 비제어된 스트레스 트랜지스터로부터 출력 값이 획득되는 회로 성능 저하 측정 장치
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제6항에 있어서,상기 방사 스트레스 모드에서는 N1 스트레스의 경우 및 P1 스트레스의 경우가 존재하고,상기 N1 스트레스의 경우에는, 제2 제어된 스트레스 트랜지스터의 총 이온화 선량을 완화시키고, 제1 제어된 스트레스 트랜지스터의 총 이온화 선량을 우세하게 하며, 또는상기 P1 스트레스의 경우에는, 상기 제1 제어된 스트레스 트랜지스터의 총 이온화 선량을 완화시키고, 상기 제2 제어된 스트레스 트랜지스터의 총 이온화 선량을 우세하게 하는 회로 성능 저하 측정 장치
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제1항에 있어서,완전 공핍형 실리콘 온 인슐레이터의 경우, p-전계 효과 트랜지스터의 총 이온화 선량 효과가 n-전계 효과 트랜지스터의 총 이온화 선량 효과보다 더 강한 것으로 측정되는 회로 성능 저하 측정 장치
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측정 대상 및 상기 측정 대상에 대응하는 회로 성능 저하 측정 장치가 준비되되, 상기 회로 성능 저하 측정 장치는, 제1 인버터, 상기 제1 인버터와 직접적으로 연결되거나 또는 다른 적어도 하나의 인버터를 통하여 간접적으로 연결된 제N 인버터, 상기 제1 인버터를 외부 및 상기 제N 인버터 중 어느 하나에 선택적으로 연결하는 스위치 및 방사 스트레스 모드 및 측정 모드로의 스위칭에 따라 발생되는 주파수를 측정하는 계수기를 포함하는 단계;상기 스위치가 동작하여 상기 회로 성능 저하 측정 장치의 작동 모드가 변경되는 단계; 및상기 스위치의 동작에 따라 회로 성능 저하 측정 장치에서 발생되는 주파수를 측정하는 단계;를 포함하되,상기 제1 인버터는,제어된 스트레스 트랜지스터; 상기 제어된 스트레스 트랜지스터와 직렬로 연결된 비제어된 스트레스 트랜지스터;상기 비제어된 스트레스 트랜지스터를 IN 노드에 선택적으로 연결시키는 전달 게이트 트랜지스터; 상기 스트레스 트랜지스터 및 상기 비제어된 스트레스 트랜지스터의 바이어싱을 수행하는 스트레스 모드 바이어싱 트랜지스터; 및 상기 바이어싱의 온/오프를 수행하는 전원 스위치 트랜지스터;를 포함하는 회로 성능 저하 측정 방법
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