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제1 베이스;상기 제1 베이스의 일면 상에 배치되고, 이산화티타늄 입자로 이루어진 이산화티타늄 입자층;상기 이산화티타늄 입자층 상에 맞닿아 자가정렬된 10,12-펜타코사디노익산을 포함하는 광 변색층; 및상기 광 변색층 상에 배치되고, 상기 광 변색층을 부분적으로 노출시키는 윈도우를 갖는 커버층을 포함하는 자외선 감지 센서
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제1항에 있어서,상기 커버층 상에 배치되고, 상기 커버층 및 상기 광 변색층과 맞닿는 밀봉층을 더 포함하되,상기 커버층, 상기 광 변색층 및 상기 이산화티타늄 입자층의 측면은 적어도 부분적으로 정렬되고,상기 밀봉층은 상기 광 변색층 및 상기 이산화티타늄 입자층의 측면과 맞닿는 자외선 감지 센서
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제5항에 있어서,상기 제1 베이스의 타면 상에 배치된 제2 베이스; 및상기 제1 베이스와 상기 제2 베이스 사이에 배치된 제1 접합층을 더 포함하되,상기 밀봉층은 상기 제1 베이스의 배면, 및 상기 제1 접합층과 맞닿는 자외선 감지 센서
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제6항에 있어서,상기 제2 베이스의 타면 상에 배치된 제2 접합층;상기 제2 접합층 상에 배치된 이형 필름층; 및상기 커버층의 윈도우와 중첩하도록 상기 밀봉층 상에 배치되고, 자외선의 투과를 부분적으로 차단하는 자외선 차단층을 더 포함하는 자외선 감지 센서
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제5항에 있어서,상기 커버층의 두께는 0
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제5항에 있어서,상기 커버층은,제1 크기의 윈도우를 갖는 제1 커버층, 및상기 제1 크기와 상이한 제2 크기의 윈도우를 갖는 제2 커버층을 포함하고,상기 제1 커버층의 윈도우와 상기 제2 커버층의 윈도우는 함께 상기 광 변색층을 노출시키는 자외선 감지 센서
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제5항에 있어서,상기 커버층의 윈도우의 내측벽은,상기 광 변색층 측으로 갈수록 윈도우의 최대폭이 감소하도록 경사를 갖는 자외선 감지 센서
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제1 베이스를 준비하는 단계;상기 제1 베이스의 일면 상에 이산화티타늄 입자로 이루어진 이산화티타늄 입자층을 형성하는 단계;상기 이산화티타늄 입자층 상에 광 변색층을 형성하는 단계로서, 상기 이산화티타늄 입자층 상에 맞닿아 자가정렬된 10,12-펜타코사디노익산을 포함하는 광 변색층을 형성하는 단계; 및상기 광 변색층 상에 커버층을 배치하는 단계로서, 상기 광 변색층을 부분적으로 노출시키는 윈도우를 갖는 커버층을 배치하는 단계를 포함하는 자외선 감지 센서의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 이산화티타늄 입자층을 형성하는 단계는,이산화티타늄 분말을 알코올성 용매에 용해시켜 이산화티타늄 용액을 준비하는 단계로서, 30%(w/v) 내지 50%(w/v) 농도의 이산화티타늄 용액을 준비하는 단계,상기 제1 베이스 상에 상기 이산화티타늄 용액을 도포하는 단계, 및상기 알코올성 용매를 제거하여 상기 이산화티타늄 입자층을 형성하는 단계를 포함하는 자외선 센서의 제조 방법
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제14항에 있어서,상기 광 변색층을 형성하는 단계는,10,12-펜타코사디노익산 분말을 클로로포름 용매 및/또는 염화메틸렌(dichloromethane) 용매에 용해시켜 10,12-펜타코사디노익산 용액을 준비하는 단계로서, 5%(w/v) 내지 10%(w/v) 농도의 10,12-펜타코사디노익산 용액을 준비하는 단계,상기 10,12-펜타코사디노익산 용액을 필터링하고 상기 용매를 제거하여 정제된 10,12-펜타코사디노익산 분말을 수득하는 단계,상기 정제된 10,12-펜타코사디노익산 분말을 클로로포름 용매 및/또는 염화메틸렌(dichloromethane) 용매에 용해시켜 10,12-펜타코사디노익산 용액을 준비하는 단계로서, 15%(w/v) 내지 25%(w/v) 농도의 10,12-펜타코사디노익산 용액을 준비하는 단계,상기 이산화티타늄 입자층 상에 10,12-펜타코사디노익산 용액을 도포하는 단계, 및상기 용매를 제거하여 10,12-펜타코사디노익산 코팅층을 형성하는 단계를 포함하는 자외선 센서의 제조 방법
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