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제1 컨택홀이 형성된 제1 베이스;상기 제1 베이스의 타면 상에 배치되고, 상기 제1 컨택홀과 연결된 제2 컨택홀을 가지며, 상기 제1 베이스 보다 작은 액체 투과도를 갖는 제2 베이스;상기 제1 베이스의 일면 상에 배치된 제1 금속 패턴;상기 제2 베이스의 타면 상에 배치되는 제2 금속 패턴; 및 상기 제1 컨택홀 및 상기 제2 컨택홀에 삽입 배치되어 상기 제1 금속 패턴과 상기 제2 금속 패턴을 전기적으로 연결하는 컨택부를 포함하는 기판 적층체
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제1항에 있어서,상기 제1 금속 패턴 및 상기 제2 금속 패턴은 각각 인덕터 소자 및 커패시터 소자를 형성하고,상기 제1 컨택홀 또는 상기 제2 컨택홀은 각각 상기 제2 금속 패턴 측에서 상기 제1 금속 패턴 측으로 갈수록 폭이 감소하는 기판 적층체
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제1항에 있어서,상기 제2 베이스는 상기 제1 베이스 보다 큰 강도를 갖는 기판 적층체
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제1항에 있어서,상기 제1 베이스는, 상기 제1 컨택홀의 내측벽 표면에 위치하고, 액체 금속이 충진되어 형성되며, 상기 컨택부와 맞닿는 제1 침습 도통부를 포함하는 기판 적층체
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제5항에 있어서,상기 제1 금속 패턴은, 서로 이격된 제1 인덕터 접점 패드부 및 제2 인덕터 접점 패드부, 및 상기 제1 인덕터 접점 패드부와 상기 제2 인덕터 접점 패드부를 전기적으로 연결된 인덕터 회로 패턴부를 포함하고,상기 제1 베이스는, 상기 제1 베이스의 상기 일면의 표면에 위치하고, 액체 금속이 충진되어 형성된 제2 침습 도통부를 더 포함하되,상기 제1 침습 도통부는 상기 제1 인덕터 접점 패드부와 맞닿아 중첩하되, 상기 제2 인덕터 접점 패드부 및 상기 인덕터 회로 패턴부와 중첩하지 않고,상기 제2 침습 도통부는 상기 제2 인덕터 접점 패드부와 맞닿아 중첩하되, 상기 제1 인덕터 접점 패드부 및 상기 인덕터 회로 패턴부와 중첩하지 않는 기판 적층체
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제6항에 있어서,상기 제1 침습 도통부의 최대 두께는 상기 제1 베이스의 최대 두께의 50% 이하인 기판 적층체
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제6항에 있어서,상기 제1 침습 도통부 및 상기 제2 침습 도통부는 상기 인덕터 회로 패턴부와 맞닿지 않고,상기 인덕터 회로 패턴부는 평면 시점에서 라운드진 형상을 가지며,상기 제2 베이스는 액체 금속이 충진된 부분을 불포함하는 기판 적층체
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제6항에 있어서,상기 컨택부 및 상기 제1 침습 도통부는 함께 상기 제1 금속 패턴과 상기 제2 금속 패턴 사이의 전기적 도통 영역을 형성하고,상기 제1 컨택홀과 상기 제1 침습 도통부가 형성하는 도통 영역의 최소폭은, 상기 제2 컨택홀의 최소폭 보다 큰 기판 적층체
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제9항에 있어서,상기 제1 금속 패턴 및 상기 제2 금속 패턴은 각각 내부에 도전성 입자가 분산된 액체 금속을 포함하되,상기 제1 침습 도통부 및 상기 제2 침습 도통부는 상기 도전성 입자를 불포함하는 기판 적층체
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제9항에 있어서,상기 제1 금속 패턴 및 상기 제2 금속 패턴은 각각 경사진 측면을 가지고,상기 제1 금속 패턴이 형성하는 경사각은 상기 제2 금속 패턴이 형성하는 경사각 보다 크며,상기 제1 금속 패턴의 최소 두께는 상기 제2 금속 패턴의 최소 두께 보다 작은 기판 적층체
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제1항에 있어서,상기 제1 베이스의 일면 상에 배치되어 상기 제1 금속 패턴이 배치되는 채널을 형성하는 격벽 패턴;상기 격벽 패턴의 측면 상에 배치된 보강층;상기 제1 베이스의 일면 상에 배치되고, 상기 채널 내에 배치되며, 상기 제1 베이스 및 상기 제1 금속 패턴과 맞닿는 투과 차단층으로서, 상기 제1 컨택홀 및 상기 제2 컨택홀과 중첩하지 않도록 배치된 투과 차단층;상기 격벽 패턴 상에 배치되고, 상기 제1 컨택홀 및 상기 제2 컨택홀과 중첩하는 홀을 갖는 밀봉층; 및상기 밀봉층의 홀 상에 배치되어 상기 홀을 커버하고, 상기 제1 금속 패턴과 맞닿으며, 상기 투과 차단층과 중첩하지 않도록 배치된 커버 부재를 더 포함하는 기판 적층체
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액체 투과성을 갖는 제1 베이스로서, 제1 컨택홀을 가지고, 적어도 부분적으로 액체 금속을 함유하는 제1 베이스;액체 불투과성을 갖는 제2 베이스로서, 상기 제1 베이스의 타면 상에 배치되고, 제2 컨택홀을 갖는 제2 베이스;상기 제1 베이스 상에 배치된 제1 수동 소자 패턴; 및상기 제2 베이스 상에 배치된 제2 수동 소자 패턴으로서, 상기 제1 컨택홀 및 상기 제2 컨택홀을 통해 상기 제1 수동 소자 패턴과 전기적으로 연결된 제2 수동 소자 패턴을 포함하는 필터 소자
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제13항에 있어서,상기 제1 컨택홀과 제2 컨택홀에 충진된 액체 금속, 및 상기 제1 베이스에 함유된 액체 금속은 함께 상기 제1 수동 소자 패턴과 상기 제2 수동 소자 패턴 사이의 전기적 통로를 형성하고,상기 전기적 통로의 수평 방향으로의 폭에 있어서, 수직 방향의 양단부에서의 폭이, 수직 방향 중앙부에서의 폭 보다 큰 필터 소자
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일면에 형성된 제1 채널을 갖는 제1 패턴 기판을 준비하는 단계로서, 제1 베이스를 포함하는 제1 패턴 기판을 준비하는 단계;타면에 형성된 제2 채널을 갖는 제2 패턴 기판을 준비하는 단계로서, 상기 제1 베이스 보다 작은 액체 투과도 및 상기 제1 베이스 보다 큰 강도를 갖는 제2 베이스를 포함하는 제2 패턴 기판을 준비하는 단계;상기 제1 패턴 기판의 타면 상에 상기 제2 패턴 기판을 배치하는 단계; 및상기 제2 패턴 기판에서 상기 제1 패턴 기판 방향으로 컨택홀을 형성하는 단계를 포함하는 필터 소자의 제조 방법
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제15항에 있어서,상기 컨택홀을 형성하는 단계 후에,상기 제1 패턴 기판 상에 제1 밀봉층을 배치하는 단계;상기 제2 패턴 기판 상에 제2 밀봉층을 배치하는 단계;상기 제1 밀봉층에 상기 컨택홀과 중첩하도록 홀을 형성하는 단계; 및상기 제1 밀봉층의 홀을 통해 상기 제1 채널, 상기 컨택홀 및 상기 제2 채널에 액체 금속을 충진하는 단계를 더 포함하는 필터 소자의 제조 방법
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제16항에 있어서,상기 액체 금속을 충진하는 단계 후에,상기 제1 베이스에 부분적으로 액체 금속을 침투시키는 단계로서, 상기 컨택홀의 내측벽 표면을 통해 액체 금속을 침투시키는 단계를 더 포함하는 필터 소자의 제조 방법
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