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질소를 함유하는 니켈 실리사이드 형성방법

  • 기술번호 : KST2019017867
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질소(nitrogen) 가스 분위기에서 반응성 스퍼터링을 수행함으로써, 실리콘 기판 상에 니켈 박막을 형성하는 단계; 및 상기 니켈 박막이 형성된 상기 실리콘 기판을 열처리하여 상기 니켈 박막을 질소를 함유하는 니켈 실리사이드층으로 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 니켈 실리사이드층 내의 상기 질소의 함량은 3.7 % 내지 4.1 % 인 질소를 함유하는 니켈 실리사이드 형성방법을 제공한다.
Int. CL C23C 14/58 (2006.01.01) C23C 14/00 (2018.01.01) C23C 14/18 (2006.01.01)
CPC C23C 14/5846(2013.01) C23C 14/5846(2013.01) C23C 14/5846(2013.01) C23C 14/5846(2013.01)
출원번호/일자 1020180027076 (2018.03.07)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0106095 (2019.09.18) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.03.07)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최리노 서울특별시 마포구
2 지형민 인천광역시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
3 김한 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.03.07 수리 (Accepted) 1-1-2018-0231338-03
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2019.02.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2019.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2019-0011635-42
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.11.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0842708-38
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2020.02.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0086070-09
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번호 청구항
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질소(nitrogen) 가스 분위기에서 반응성 스퍼터링을 수행함으로써, 실리콘 기판 상에 니켈 박막을 형성하는 단계; 및상기 니켈 박막이 형성된 상기 실리콘 기판을 열처리하여 상기 니켈 박막을 질소를 함유하는 니켈 실리사이드층으로 형성하는 단계;를 포함하고,상기 니켈 실리사이드층 내의 상기 질소의 함량은 3
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제 1 항에 있어서,상기 열처리는 RTA(Rapid Thermal Annealing)법을 이용하는,질소를 함유하는 니켈 실리사이드 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 열처리는 450℃ 내지 550℃의 온도범위에서 50초 내지 70초 동안 수행하는,질소를 함유하는 니켈 실리사이드 형성방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 니켈 박막은 NiNx 형태의 화합물 박막인,질소를 함유하는 니켈 실리사이드 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 반응성 스퍼터링시 챔버 내 질소 가스에 대한 전체 가스의 유량비는 4% 내지 6% 인,질소를 함유하는 니켈 실리사이드 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 인하대학교 나노·소재기술개발 초절전 IoT 소자 결합 3차원 플랫폼 집적 공정과 최적 아키텍처 개발, 검증
2 과학기술정보통신부 인하대학교산학협력단 전자정보디바이스산업원천기술개발 시퀀셜 소자 적층을 위한 초저온 전공정 집적 기술 개발