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방사선을 셀 또는 상기 셀을 포함하는 반도체 저장 장치에 조사하되, 상기 셀은 적어도 둘 이상이 전기적으로 연결된 여섯 개의 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 단계; 및상기 방사선의 조사에 따라 상기 여섯 개의 전계 효과 트랜지스터 중 적어도 하나에서 발생된 실패를 계수하되, 상기 실패는 홀드 동작에서의 실패, 읽기 동작에서의 실패 및 쓰기 동작에서의 실패 중 적어도 하나를 포함하는 단계;를 포함하고,상기 여섯 개의 전계 효과 트랜지스터는, 오프 상태로 설정 가능한 p 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 제1 전계 효과 트랜지스터;온 상태로 설정 가능한 p 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 제2 전계 효과 트랜지스터;상기 제1 전계 효과 트랜지스터에 대응되고 온 상태로 설정 가능한 n 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 제3 전계 효과 트랜지스터; 및상기 제2 전계 효과 트랜지스터에 대응되고 오프 상태로 설정 가능한 n 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 제4 전계 효과 트랜지스터;를 포함하며,상기 제1 전계 효과 트랜지스터 및 상기 제4 전계 효과 트랜지스터는 오프 상태로 설정되고, 상기 제2 전계 효과 트랜지스터 및 상기 제3 전계 효과 트랜지스터는 온 상태로 설정된 총 이온화 선량 효과의 측정 방법
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제1항에 있어서,상기 방사선의 조사에 따라 상기 여섯 개의 전계 효과 트랜지스터 중 적어도 하나에서 발생된 실패를 계수하는 단계는,스트레스 패턴 하에서 상기 방사선의 조사에 따라 상기 제1 전계 효과 트랜지스터 내지 제4 전계 효과 트랜지스터 중 적어도 하나에서 발생된 실패를 계수하는 단계; 및상기 스트레스 패턴에 대한 반대 패턴 하에서 상기 방사선의 조사에 따라 상기 제1 전계 효과 트랜지스터 내지 제4 전계 효과 트랜지스터 중 적어도 하나에서 발생된 실패를 계수하는 단계; 중 적어도 하나를 포함하는 총 이온화 선량 효과의 측정 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 전계 효과 트랜지스터 내지 제4 전계 효과 트랜지스터 중 적어도 하나에 대해서 T-캐드 시뮬레이션을 수행하는 단계;를 더 포함하는 이온화 선량 효과의 측정 방법
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제5항에 있어서,상기 T-캐드 시뮬레이션에 따라, 온 상태의 상기 제1 전계 효과 트랜지스터와, 온 상태의 상기 제3 전계 효과 트랜지스터 각각의 매립 산화물 내에 형성된 전기장 방향은 서로 반대인 결과를 획득하거나, 또는 온 상태의 상기 제2 전계 효과 트랜지스터와, 온 상태의 상기 제4 전계 효과 트랜지스터 각각의 매립 산화물 내에 형성된 전기장 방향은 서로 반대인 결과를 획득하는 단계;를 더 포함하는 이온화 선량 효과의 측정 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 전계 효과 트랜지스터 내지 제4 전계 효과 트랜지스터 중 적어도 하나를, 온 상태 및 오프 상태 중 적어도 하나의 상태로 설정하는 단계; 및상기 제1 전계 효과 트랜지스터 내지 제4 전계 효과 트랜지스터 중 적어도 하나에 대해 채널의 중간에서 수직 방향으로 절단한 일 면에 대한 에너지 밴드 다이어그램을 획득하는 단계;를 더 포함하는 이온화 선량 효과의 측정 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 전계 효과 트랜지스터 또는 상기 제2 전계 효과 트랜지스터에 대한 총 이온화 선량에 의한 영향은, 상기 제3 전계 효과 트랜지스터 또는 제4 전계 효과 트랜지스터에 대한 총 이온화 선량에 대한 영향보다 더 큰 결과를 획득하는 단계;를 더 포함하는 이온화 선량 효과의 측정 방법
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제8항에 있어서,상기 제1 전계 효과 트랜지스터 또는 상기 제2 전계 효과 트랜지스터에 대한 총 이온화 선량에 의한 영향은, 상기 제3 전계 효과 트랜지스터 또는 제4 전계 효과 트랜지스터에 대한 총 이온화 선량에 대한 영향보다 더 큰 결과를 획득하는 단계는,총 이온화 선량의 영향에 따라서 상기 제1 전계 효과 트랜지스터 또는 상기 제2 전계 효과 트랜지스터의 읽기 동작, 홀드 동작 및 쓰기 동작의 안정성이 저하되는 결과를 획득하는 단계;를 포함하는 이온화 선량 효과의 측정 방법
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제1항에 있어서,방사선 조사 경우 및 방사선 비조사 경우 각각에 대하여 전압 전달 곡선에 대해 혼합 모드 시뮬레이션을 수행하는 단계;를 더 포함하는 이온화 선량 효과의 측정 방법
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