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제1플레이트 상에 배치되고, 시료가 안착될 수 있으며, 일면에 금속층 및 미세 금속선이 제공된 기판;상기 제1플레이트의 하측에 스페이서를 매개로 이격 설치되는 제2플레이트와의 사이에 마련된 공간에 구비되어, 상기 금속층 및 미세 금속선을 플라즈몬 가열시키는 광원;상기 제2플레이트의 하측에 스페이서를 매개로 이격 설치되는 제3플레이트와의 사이에 마련된 공간에 구비되어, 상기 광원의 밝기를 조절해주는 릴레이;상기 제1플레이트와 제3플레이트의 사이 공간에 설치되어 상기 시료를 냉각시켜주는 냉각팬; 및상기 금속층 및 상기 미세 금속선의 가열에 의해 상기 시료의 온도 변화를 산출하는 제어부를 포함하며,상기 제어부는, 상기 미세 금속선의 저항정보로부터 상기 시료의 온도를 산출하는, 플라즈몬 가열 및 온도 산출 시스템
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제1항에 있어서,상기 금속층은 상기 기판의 일면에 증착되어 제공되며,상기 미세 금속선은 상기 증착된 금속층에 식각되어 제공되는, 플라즈몬 가열 및 온도 산출 시스템
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제1항에 있어서,상기 금속층은,상기 광원의 주요 방출 파장 범위와 상기 금속층의 주요 흡수 파장 범위가 서로 대응되도록 두께 및 조성이 결정되는, 플라즈몬 가열 및 온도 산출 시스템
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제1항에 있어서,상기 제어부는,상기 미세 금속선의 저항정보를 측정하는 저항측정모듈; 및상기 측정된 미세 금속선의 저항정보로부터 상기 시료의 온도를 산출하는 온도산출모듈을 포함하고,상기 산출된 시료의 온도와 미리 설정된 온도 프로파일을 기초로 하여 상기 광원의 밝기를 조절함으로써 상기 시료의 온도를 조절하는, 플라즈몬 가열 및 온도 산출 시스템
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제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 플라즈몬 가열 및 온도 산출 시스템을 이용한 플라즈몬 가열 및 온도 산출 방법에 있어서,일면에 금속층 및 미세 금속선이 제공된 기판에 시료를 안착시키는 단계; 상기 기판에 광원을 조사하여 상기 금속층 및 상기 미세 금속선을 플라즈몬 가열시키는 단계; 및제어부에 의해 측정된 상기 미세 금속선의 저항정보로부터 상기 시료의 온도를 산출하는 단계를 포함하는, 플라즈몬 가열 및 온도 산출 방법
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제5항에 있어서,상기 제어부는,상기 미세 금속선의 저항정보를 측정하는 저항측정모듈; 및상기 측정된 미세 금속선의 저항정보로부터 상기 시료의 온도를 산출하는 온도산출모듈을 포함하는, 플라즈몬 가열 및 온도 산출 방법
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제5항에 있어서,상기 제어부는,상기 산출된 시료의 온도와 미리 설정된 온도 프로파일을 기초로 하여 상기 광원의 밝기를 조절함으로써 상기 시료의 온도를 조절하는 단계를 더 포함하는, 플라즈몬 가열 및 온도 산출 방법
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