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2 내지 3의 적외선 굴절률을 가지는 제1 코팅층;상기 제1 코팅층 상에 형성되고, 플루오린화이트륨(YF3)을 포함하는 제2 코팅층; 및상기 제2 코팅층 상에 형성되고, 내마모성 보호층을 포함하는 제3 코팅층;을 포함하고,상기 제3 코팅층의 표면은 소수성화된 것이고,상기 제1 코팅층의 두께는 800 nm 내지 950 nm 이고,상기 제2 코팅층의 두께는 700 nm 내지 1750 nm 이며,상기 제3 코팅층의 두께는 20 nm 내지 150 nm인 것이며, 상기 코팅층 각 층의 두께는 하기의 수학식1을 따르는 것이고,1
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제1항에 있어서,상기 제1 코팅층은, 황화아연(ZnS), 셀레늄화아연(ZnSe) 및 Ge33As12Se55 유리로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 더 포함하는 것인,저반사 코팅막
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3
제1항에 있어서,상기 제3 코팅층은, 1 내지 2
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4
제1항에 있어서,상기 제3 코팅층은, 산화세륨(CeO2), 산화규소(SiO2) 및 산화이트륨(Y2O3)으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 더 포함하는 것인,저반사 코팅막
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삭제
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6
삭제
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7
투명 세라믹 기재; 및상기 투명 세라믹 기재 상에 형성된 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 저반사 코팅막;을 포함하는,투명 세라믹 적층체
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8
제7항에 있어서,상기 투명 세라믹 기재는, 다결정성인 것인,투명 세라믹 적층체
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9
제7항에 있어서,상기 투명 세라믹 기재는, 1
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10
제7항에 있어서,상기 투명 세라믹 기재는, 이트리아, 이트리아-마그네시아 복합체, 스피넬(Spinel) 및 알론(ALON)으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 것인,투명 세라믹 적층체
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11
투명 세라믹 기재 상에, 지르코니아(ZrO2) 및 황화아연(ZnS), 셀레늄화아연(ZnSe) 및 Ge33As12Se55 유리로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 제1 코팅층을 형성하는 단계;상기 제1 코팅층 상에 플루오린화이트륨(YF3)을 포함하는 제2 코팅층을 형성하는 단계;상기 제2 코팅층 상에 산화하프늄(HfO2), 산화란타넘(La2O3) 또는 이 둘 및 산화세륨(CeO2), 산화규소(SiO2) 및 산화이트륨(Y2O3)으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 제3 코팅층을 형성하는 단계; 및 상기 제3 코팅층을 플라즈마 처리하는 단계;를 포함하는, 제7항의 투명 세라믹 적층체의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 제3 코팅층을 플라즈마 처리하는 단계는, 150 ℃ 내지 180 ℃의 온도 조건 및 7
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