| 요약 |
본 발명은 전력 반도체에 관한 것이다. 본 발명의 일측면에 따르면, 필드 스탑을 위한 버퍼층이 형성된 전력 반도체가 제공된다. 전력 반도체는, 제1 도전형 불순물로 도핑된 제1 도전형 드리프트층, 상기 제1 도전형 드리프트층의 상면으로부터 상기 제1 도전형 드리프트층의 내부로 연장되도록 형성되며, 제2 도전형 불순물로 도핑된 제2 도전형 베이스, 상기 제2 도전형 베이스의 상면으로부터 상기 제2 도전형 베이스의 내부로 연장되도록 형성되며, 상기 제1 도전형 불순물로 도핑된 제1 도전형 에미터 영역, 상기 제2 도전형 베이스의 상면으로부터 상기 제2 도전형 베이스의 내부로 연장되도록 형성되며, 상기 제2 도전형 불순물로 도핑된 제2 도전형 에미터 영역, 상기 제2 도전형 베이스에 인접하게 형성된 게이트, 상기 제1 도전형 드리프트층의 하부에 형성되며, 상기 제1 도전형 불순물로 도핑된 제1 도전형 버퍼층, 및 상기 제1 도전형 버퍼층 하부에 형성되며, 상기 제2 도전형 불순물로 도핑된 제2 도전형 컬렉터층을 포함하되, 상기 제1 도전형 드리프트층의 비저항은 40 Ωcm이며, 상기 제1 도전형 버퍼층의 제1 도전형 불순물의 도스는 8.0x1013 cm-2 내지 2.0x1014 cm-2일 수 있다.
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