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제1 도전형 불순물로 도핑된 제1 도전형 드리프트층;상기 제1 도전형 드리프트층의 상면에 형성되며, 제2 도전형 불순물로 도핑된 제2 도전형 베이스;상기 제2 도전형 베이스의 내부에 형성되며, 상기 제1 도전형 불순물로 도핑된 제1 도전형 에미터 영역; 상기 제2 도전형 베이스에 인접하게 형성된 게이트;상기 제1 도전형 드리프트층의 하부에 형성되며, 상기 제1 도전형 드리프트층의 하면의 제1 영역에 접촉하는 분할된 컬렉터; 상기 제1 도전형 드리프트층의 하부에 형성되며, 상기 제1 도전형 드리프트층의 상기 하면의 제2 영역에 접촉하는 컬렉터 절연층-여기서, 상기 제1 영역과 상기 제2 영역은 중첩되지 않음-; 및상기 분할된 컬렉터에 전기적으로 연결되며, 상기 컬렉터 절연층의 하부에 형성된 금속 전극층을 포함하는 전력 반도체
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청구항 1에 있어서, 상기 컬렉터 절연층은, 내부를 관통하는 트렌치를 포함하되, 상기 분할된 컬렉터는 상기 트렌치 내부에 배치되며,상기 분할된 컬렉터의 하면은 상기 금속 전극층에 오믹 접촉하는 전력 반도체
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청구항 2에 있어서, 분할된 컬렉터의 두께는 상기 컬렉터 절연층의 두께보다 작은 전력 반도체
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청구항 2에 있어서, 상기 분할된 컬렉터는, 상기 컬렉터 절연층과 교번하여 배치된 스트라이프 패턴을 형성하는 전력 반도체
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청구항 1에 있어서, 상기 컬렉터 절연층은, 내부를 관통하는 트렌치를 포함하되,상기 분할된 컬렉터는 상기 트렌치가 형성된 상기 컬렉터 절연층의 상면에 형성되며,상기 분할된 컬렉터의 하면은 상기 금속 전극층에 오믹 접촉하는 전력 반도체
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청구항 5에 있어서, 상기 금속 전극층은, 상기 트렌치 내부에서 상방으로 연장된 컬렉터 연결부를 포함하되, 상기 컬렉터 연결부는 상기 컬렉터의 하면에 오믹 접촉하는 전력 반도체
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청구항 5에 있어서, 상기 분할된 컬렉터는 원형인 전력 반도체
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