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기판;상기 기판에 배치되는 그래핀 채널층;상기 그래핀 채널층의 양단에 이격되어 배치되는 한 쌍의 금속; 및상기 그래핀 채널층 상에 배치되고 N-헤테로사이클릭 카벤 화합물로 이루어진 링커층을 포함하는 지카 바이러스 검출용 센서
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제1항에 있어서, 상기 링커층은 상기 N-헤테로사이클릭 카벤 화합물의 카벤기와 그래핀 채널층의 공유 결합에 의해 형성되고, 상기 N-헤테로사이클릭 카벤 화합물은 말단 부위가 아자이드기 또는 프탈리마이드기로 기능화되어 노출되는 지카 바이러스 검출용 센서
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제1항에 있어서,상기 N-헤테로사이클릭 카벤 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물인 지카 바이러스 검출용 센서:003c#화학식 1003e#(상기 화학식 1에서, 상기 A는 아자이드기 또는 프탈리마이드기이고, 상기 R1은 반복 단위가 2 내지 5인 탄소 수 2 내지 10의 알킬렌기 또는 알콕시알킬렌기이고, 상기 R2 및 R3는 각각 독립적으로 알킬기, 시클로알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 알킬렌기, 알케닐렌기, 알키닐렌기, 알콕시기 또는 아릴알킬기이다
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제3항에 있어서, 상기 N-헤테로사이클릭 카벤 화합물은 6-(4-아지도부톡시-1,3-디아이소프로필-1H-벤조[d]이미다졸-2-일리덴, 6-4(-아지도부톡시)-1,3-디이소프로필-1H-벤조[d]이미다졸-2-일리덴, 6-(2-(2-(2-(2-아지도에톡시)에톡시)에톡시)에톡시)-1,3-디이소프로필-1H-벤조[d]이미다졸-2-일리덴, 6-(2-(2-(2-(2-아지도에톡시)에톡시)에톡시)에톡시)-1,3-디벤질-1H-벤조[d]이미다졸-2-일리덴 및 6-(4-(1,3-다이이소인돌린-2-일)부톡시)-1,3-다이이소프로필-1H-벤조[d]이미다졸-2-일리덴으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 종 이상인 것을 특징으로 하는 지카 바이러스 검출용 센서
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제1항에 있어서, 상기 N-헤테로사이클릭 카벤 화합물은 한 쌍의 금속 사이에 노출되어 있는 그래핀 채널층 상에 형성되는 지카 바이러스 검출용 센서
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제1항에 있어서, 상기 N-헤테로사이클릭 카벤 화합물은 자가결합 단일층을 형성하는 지카 바이러스 검출용 센서
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제1항에 있어서, 상기 링커층의 두께는 0
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제1항에 있어서, 상기 그래핀 채널층은 단층 또는 이층(bi-layer)의 그래핀으로 이루어진 지카 바이러스 검출용 센서
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제1항에 있어서, 상기 센서는 링커층 상에 노출되어 있는 아자이드기 또는 프탈리마이드기에 결합되는 바이오 탐침부를 포함하고,상기 바이오 탐침부는 지카 바이러스와 특이적 결합 가능한 프로브 물질을 포함하는 지카 바이러스 검출용 센서
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10
제9항에 있어서, 상기 프로브 물질은 펩티드, 단백질 및 염기서열로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종 이상인 지카 바이러스 검출용 센서
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기판 상에 탄화수소 가스를 탄소 공급원으로 하여 화학 기상 증착법으로 그래핀을 성장시켜 그래핀 채널층을 형성하는 단계;상기 그래핀 채널층에 열증착 공정으로 한 쌍의 금속을 형성하는 단계; 및 상기 그래핀 채널층의 외부로 노출되는 표면 상에 N-헤테로사이클릭 카벤 화합물을 포함하는 표면처리제를 이용하여 링커층을 형성하는 단계를 포함하는 지카 바이러스 검출용 센서의 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 N-헤테로사이클릭 카벤 화합물은 이미다졸륨염을 소스로 이용하여 합성되는 지카 바이러스 검출용 센서의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 링커층을 형성하는 단계를 수행한 후, 링커층 상에 지카 바이러스와 특이적 결합 가능한 프로브 물질을 포함하는 바이오 탐침부를 형성하는 단계를 포함하는 지카 바이러스 검출용 센서의 제조방법
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