| 1 |
1
액상 매질을 수용하며 액상 매질을 접지시키는 금속 용기;일측이 막힌 다공성 튜브와, 다공성 튜브의 개방된 단부에 연결된 기체 이송관을 포함하며, 적어도 다공성 튜브가 상기 액상 매질에 잠기도록 상기 금속 용기에 설치되고, 전원부로부터 구동 전압을 인가받는 고전압 전극부; 및상기 다공성 튜브를 통과해 상기 액상 매질로 분출 가능한 압력으로 상기 기체 이송관과 상기 다공성 튜브에 기체를 공급하는 기체 공급부를 포함하며,상기 다공성 튜브는 제공받은 기체를 미세한 기포 형태로 쪼개어 상기 액상 매질로 분출함과 동시에 분출된 미세 기포들 내부에 플라즈마를 생성하여 상기 액상 매질을 플라즈마 처리하는 플라즈마 발생기
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 다공성 튜브는 복수의 관통홀이 형성된 타공판과, 모양이 일정하지 않은 미세 기공들이 서로 통해 있는 금속 발포체 중 어느 하나로 제작되는 플라즈마 발생기
|
| 3 |
3
제2항에 있어서,상기 다공성 튜브는 상기 기체 이송관에 나란하게 연결되며, 상기 기체 이송관과 상기 다공성 튜브는 지면에 수직하게 배치되는 플라즈마 발생기
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 금속 용기의 상측을 덮는 덮개판과, 상기 덮개판의 가장자리에 위치하여 상기 덮개판과 상기 금속 용기를 절연시키는 절연체를 더 포함하는 플라즈마 발생기
|
| 5 |
5
내부로 액상 매질이 흐르며 액상 매질을 접지시키는 금속관;상기 금속관의 내부에서 상기 금속관과 나란하게 위치하며 일측이 막힌 다공성 튜브와, 상기 금속관을 관통하며 다공성 튜브의 개방된 단부에 연결된 기체 이송관을 포함하며, 적어도 다공성 튜브가 상기 액상 매질에 잠기도록 상기 금속관에 설치되고, 전원부로부터 구동 전압을 인가받는 고전압 전극부; 및상기 다공성 튜브를 통과해 상기 액상 매질로 분출 가능한 압력으로 상기 기체 이송관과 상기 다공성 튜브에 기체를 공급하는 기체 공급부를 포함하며,상기 다공성 튜브는 제공받은 기체를 미세한 기포 형태로 쪼개어 상기 액상 매질로 분출함과 동시에 분출된 미세 기포들 내부에 플라즈마를 생성하여 상기 액상 매질을 플라즈마 처리하는 플라즈마 발생기
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,상기 다공성 튜브는 복수의 관통홀이 형성된 타공판과, 모양이 일정하지 않은 미세 기공들이 서로 통해 있는 금속 발포체 중 어느 하나로 제작되는 플라즈마 발생기
|
| 7 |
7
제6항에 있어서,상기 다공성 튜브는 상기 기체 이송관에 수직으로 연결되며, 상기 금속관의 내면과 거리를 두고 상기 금속관의 내부 중심에 위치하는 플라즈마 발생기
|
| 8 |
8
제5항에 있어서,상기 기체 이송관이 상기 금속관을 관통하는 부분을 둘러싸 상기 금속관과 상기 기체 이송관을 절연시키는 절연 링을 더 포함하는 플라즈마 발생기
|
| 9 |
9
유동이 없거나 일정한 유동을 가지는 액상 매질에 기체 이송관과 다공성 튜브를 포함하는 고전압 전극부를 배치하는 단계;상기 다공성 튜브를 통과해 상기 액상 매질로 분출 가능한 압력으로 상기 기체 이송관과 상기 다공성 튜브에 기체를 공급함으로써 기체를 미세한 기포 형태로 쪼개어 상기 액상 매질로 분출하는 단계; 및상기 기체 이송관과 상기 다공성 튜브에 전원부의 구동 전압을 인가하여 미세 기포들 내부에 플라즈마를 발생시키는 단계를 포함하며,상기 다공성 튜브의 바깥으로 분출된 미세 기포들 내 플라즈마의 화학적 활성종이 상기 액상 매질과 반응하여 상기 액상 매질을 플라즈마 처리하는 플라즈마 처리 방법
|
| 10 |
10
제9항에 있어서,상기 액상 매질은 금속 용기에 담겨 있거나 금속관 내부를 흐르며,상기 고전압 전극부는 상기 기체 이송관의 일부와 상기 다공성 튜브 전체가 상기 액상 매질에 잠기도록 상기 금속 용기 또는 상기 금속관에 설치되는 플라즈마 처리 방법
|
