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양극활물질을 포함하는 양극;음극활물질을 포함하는 음극; 및상기 양극활물질 및 음극활물질 사이에서 이온의 삽입 및 탈리를 매개하는 전해질을 포함하고,상기 양극활물질은 나트륨 화합물 및 그래핀을 포함하고,상기 음극활물질은 그래핀을 포함하고,상기 음극활물질에 포함된 그래핀은 그래핀 나노시트층이고,상기 음극은 상기 음극활물질이 일면에 배치된 음극 집전체를 포함하고,상기 음극활물질은 상기 음극 집전체의 일면에 대하여 수직방향으로 배향된,나트륨 하이브리드 커패시터
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제 1 항에 있어서, 상기 나트륨 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 물질을 포함하는나트륨 하이브리드 커패시터:[화학식1] NaxMy(PO4)z(전이금속 M은 V, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zr, Nb, Mo, Sn, Sb, Bi, Ta 및 W에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 금속 원소이고, 0003c#x≤4, 0003c#y≤3, 1≤z≤3)
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제1항에 있어서,상기 나트륨 화합물은 NaTi2(PO4)3 을 포함하는 것을 특징으로 하는나트륨 하이브리드 커패시터
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집전체의 일면에 양극활물질이 도포된 양극을 준비하는 단계;집전체의 일면에 음극활물질이 도포된 음극을 준비하는 단계; 및상기 양극 및 음극 사이에서 이온의 삽입 및 탈리를 매개하는 전해질이 배치되도록 상기 양극 및 음극을 배치하는 단계;를 포함하고,상기 양극활물질은 나트륨 화합물 및 그래핀을 포함하고,상기 음극활물질은 그래핀을 포함하고,상기 음극활물질에 포함된 그래핀은 그래핀 나노시트층이고,상기 음극은 상기 음극활물질이 일면에 배치된 음극 집전체를 포함하고,상기 음극활물질은 상기 음극 집전체의 일면에 대하여 수직방향으로 배향된,나트륨 하이브리드 커패시터의 제조 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 나트륨 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 물질을 포함하는나트륨 하이브리드 커패시터의 제조 방법:[화학식1] NaxMy(PO4)z(전이금속 M은 V, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zr, Nb, Mo, Sn, Sb, Bi, Ta 및 W에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 금속 원소이고, 0003c#x≤4, 0003c#y≤3, 1≤z≤3)
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제6항에 있어서,상기 나트륨 화합물은 NaTi2(PO4)3 을 포함하는 것을 특징으로 하는나트륨 하이브리드 커패시터의 제조 방법
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