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롤투롤 그라비어 방법을 이용한 에칭장치 및 이를 이용한 에칭방법

  • 기술번호 : KST2019018414
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 롤투롤 그라비어 방법을 이용한 에칭장치 및 이를 이용한 에칭방법에 관한 것으로, 상기 에칭장치는 종래보다 적은 양의 에칭액을 사용하면서도 에칭효율을 향상시키기 위해 그라비어 장치를 이용하여 에칭공정을 수행 가능하다. 이에 따라 에칭장치는 소량의 에칭액을 사용하여 금속층을 에칭할 수 있으므로 친환경적이고, 공정이 단순하여 공정효율을 향상시킬 뿐만 아니라 원하는 두께의 금속층에 패턴을 형성하는 경우에도 깨끗한 표면을 갖도록 에칭할 수 있는 장점이 있다.
Int. CL H01L 21/67 (2006.01.01) G03F 1/80 (2012.01.01) H01L 21/3065 (2006.01.01)
CPC H01L 21/67075(2013.01) H01L 21/67075(2013.01) H01L 21/67075(2013.01) H01L 21/67075(2013.01) H01L 21/67075(2013.01)
출원번호/일자 1020180031477 (2018.03.19)
출원인 건국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2034000-0000 (2019.10.14)
공개번호/일자 10-2019-0109870 (2019.09.27) 문서열기
공고번호/일자 (20191018) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.03.19)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 건국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 고성림 서울특별시 송파구
2 김재민 서울특별시 강동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 건국대학교 산학협력단 서울특별시 광진구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-0271996-41
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.10.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0018688-20
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0142025-33
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.04.25 수리 (Accepted) 1-1-2019-0427514-63
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.05.27 수리 (Accepted) 1-1-2019-0541664-44
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2019-0655452-67
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.06.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0655453-13
9 등록결정서
Decision to grant
2019.10.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0727407-81
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번호 청구항
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에칭 대상이 되는 금속층을 포함하는 기재에 패턴롤의 음각 패턴 내에 포함하는 에칭액을 대면하도록 하여 에칭하는 단계;상기 에칭하는 단계를 거친 금속층을 포함하는 기재를 광원을 조사하여 건조하는 단계; 및건조하는 단계를 거친 금속층을 포함하는 기재에 초음파를 인가하여 세척하는 단계를 포함하고,에칭하는 단계; 건조하는 단계; 및 세척하는 단계는 연속 공정이며,상기 에칭액은 증류수, 철(Fe)계 화합물 및 계면활성제를 포함하고,에칭액에서 계면활성제는 폴리에틸렌 글리콜, 폴리프로필렌 글리콜 및 폴리비닐 알코올로부터 선택되는 1종 이상을 포함하며,상기 계면활성제는 에칭액 100 부피부를 기준으로 25 내지 35 부피부로 포함하는 에칭방법
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제 8 항에 있어서,에칭액에서 철(Fe)계 화합물은 질산철(Ⅲ), 염화철, 황산철, 인산철, 아세트산철 및 구연산철 중 어느 하나 이상을 포함하고,철(Fe)계 화합물의 함량은 에칭액 100 부피부를 기준으로 30 내지 50 부피부인 것을 특징으로 하는 에칭방법
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제 8 항에 있어서,에칭하는 단계는 기재의 금속층 상에 평균 20 내지 60 ㎛ 간격의 채널을 형성하는 에칭방법
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제 8 항에 있어서,건조하는 단계는 에칭하는 단계를 거친 금속층을 포함하는 기재에 100℃ 내지 200℃의 온도에서 10 내지 60초 동안 광을 조사하여 수행하는 에칭방법
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제 8 항에 있어서,세척하는 단계는 건조하는 단계를 거친 금속층을 포함하는 기재에 10 내지 1000 kHz의 초음파를 1분 내지 10분 동안 인가하여 수행하는 에칭방법
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1 산업통상자원부 건국대학교 산학협력단 청정생산기반전문기술개발사업 [단독] [RCMS] (2차)에칭 폐액 90%이상 저감을 위한 금속