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기판을 준비하는 단계;상기 기판의 표면에 동시진공증발 공정으로 Cu와 Zn과 Sn 및 Se 또는 S의 4성분 모두를 증착하여 전구체층을 형성하는 단계;상기 전구체층을 Se 분위기 또는 S 분위기에서 열처리하여 CZT(S,Se)계 박막을 형성하는 단계를 포함하며,상기 동시진공증발 공정을 수행하는 과정에서 기판을 150~320℃의 온도 범위로 유지하여 상기 전구체층에 시드를 형성하는 것을 특징으로 하는 CZT(S,Se)계 박막 형성방법
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청구항 1에 있어서,상기 동시진공증발 공정을 수행하는 과정에서 기판을 200~320℃의 온도 범위로 유지하는 것을 특징으로 하는 CZT(S,Se)계 박막 형성방법
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청구항 1에 있어서,상기 CZT(S,Se)계 박막을 형성하는 단계를 수행하기 전에, 상기 전구체층의 온도를 100℃ 이하로 냉각하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CZT(S,Se)계 박막 형성방법
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청구항 1에 있어서,상기 열처리가 350~650℃의 온도범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 CZT(S,Se)계 박막 형성방법
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청구항 4에 있어서,상기 열처리가 550~650℃의 온도범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 CZT(S,Se)계 박막 형성방법
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기판 상에 동시진공증발 공정으로 Cu와 Zn과 Sn 및 Se 또는 S의 4성분 모두를 증착하여 전구체층을 형성한 뒤에, Se 분위기 또는 S 분위기에서 열처리하여 형성되며, 동시진공증발 공정에서 기판의 온도를 150~320℃ 범위로 유지하여 시드가 형성되도록 함으로써 박막의 품질이 향상된 것을 특징으로 하는 CZT(S,Se)계 박막
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◈청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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◈청구항 8은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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CZT(S,Se)계 박막을 광흡수층으로 구비한 CZT(S,Se)계 박막 태양전지의 제조방법으로서,상기 광흡수층을 형성하는 공정이,하부전극층의 표면에 동시진공증발 공정으로 Cu와 Zn과 Sn 및 Se 또는 S의 4성분 모두를 증착하여 전구체층을 형성하는 단계; 및상기 전구체층을 Se 분위기 또는 S 분위기에서 열처리하여 CZT(S,Se)계 박막을 형성하는 단계를 포함하며,상기 동시진공증발 공정을 수행하는 과정에서 기판을 150~320℃의 온도 범위로 유지하여 상기 전구체층에 시드를 형성하는 것을 특징으로 하는 CZT(S,Se)계 박막 태양전지의 제조방법
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10
◈청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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11
◈청구항 11은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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12
◈청구항 12은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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13
◈청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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CZT(S,Se)계 박막을 광흡수층으로 구비한 CZT(S,Se)계 박막 태양전지로서,상기 광흡수층이,하부전극층 위에 동시진공증발 공정으로 Cu와 Zn과 Sn 및 Se 또는 S의 4성분 모두를 증착하여 전구체층을 형성한 뒤에, Se 분위기 또는 S 분위기에서 열처리하여 형성되며, 동시진공증발 공정에서 기판의 온도를 150~320℃ 범위로 유지하여 시드가 형성되도록 함으로써 발전효율이 향상된 것을 특징으로 하는 CZT(S,Se)계 박막 태양전지
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◈청구항 15은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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◈청구항 16은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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