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(1) 제1리간드로 캐핑된(capped) 양자점을 포함하는 비극성 상, 및 티올기를 갖는 C1 내지 C3의 카복실산인 제2리간드를 포함하는 극성 상으로 이루어진 이성분계(binary system) 용액을 준비하는 단계;(2) 상기 이성분계 용액을 혼합하여 상전이교환(PTE, Phase-Transfer Exchange)에 따른 리간드 교환 반응을 통해 상기 양자점에 캐핑된 제1리간드를 제2리간드로 치환하는 단계;(3) 상기 이성분계 용액의 극성 상으로부터 제2리간드가 캐핑된 양자점을 분리 및 건조하여 p형 양자점을 수득하는 단계; 및(4) 물 및 C1 내지 C3의 알코올 중에서 선택된 적어도 어느 하나인 제1극성 용매와, C3 내지 C6의 알킬아민인 제2극성 용매가 상기 p형 양자점의 중량에 대하여 0
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제1항에 있어서,상기 제1리간드는 올레산(Oleic acid), 올레일아민(Oleylamine), 인산(Phosphoric acid), 트리옥틸포스파인 옥사이드(Trioctylphosphine oxide) 및 이들의 염 중에서 선택되는 어느 하나 이상인 양자점 잉크 조성물의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 극성 상은 디메틸포름아마이드(Dimethylformamide), 다이클로로벤젠(Dichlorobezene), 클로로벤젠(Chlorobezene), 아세토니트릴(Acetonitrile) 및 알코올 중에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 양자점 잉크 조성물의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 비극성 상은 옥탄, 톨루엔, 벤젠 및 헥산 중에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 양자점 잉크 조성물의 제조 방법
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물 및 C1 내지 C3의 알코올 중에서 선택된 적어도 어느 하나인 제1극성용매 및 C3 내지 C6의 알킬아민인 제2극성용매를 포함하는 극성용매; 및 티올기를 갖는 C1 내지 C3의 카복실산으로 캐핑된 p형 양자점;을 포함하며, 상기 제2극성용매는 상기 p형 양자점의 중량에 대하여 0
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제5항에 있어서,상기 양자점은 PbS, PbSe, PbTe, CdSe, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, AlN, AlP, AlAs, GaN, GaP, GaAs, InN, InP, InAs, AgBiS2, AgBiSe2, AgInS2, AgInSe2, CuInS2 및 CuInSe2 중에서 선택된 적어도 어느 하나인 양자점 잉크 조성물
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제5항에 있어서,상기 극성용매는 상기 p형 양자점의 중량에 대하여 4~20 ㎕/mg으로 포함되는 양자점 잉크 조성물
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삭제
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투명전극, 전자수송층, 양자점 광활성층 및 대향전극이 적층되어 형성된 양자점 태양전지에 있어서,상기 양자점 광활성층은 n형 양자점 층, 및 제5항 내지 제7항 중 적어도 어느 한 항에 따른 양자점 잉크 조성물을 상기 n형 양자점 층 상에 처리하여 형성된 p형 양자점 층을 포함하는 양자점 태양전지
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제9항에 있어서,상기 p형 양자점 층의 트랩 밀도(trap density)는 0
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제9항에 있어서,하기 조건 (ㄱ), 조건 (ㄴ) 및 조건 (ㄷ)를 만족하는 양자점 태양전지:(ㄱ) 0
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