| 1 |
1
상하로 배치된 2단의 유동염화로; 및상기 유동염화로의 내부에 위치하는 분산부;를 포함하고,상기 유동염화로는,상기 유동염화로의 상부에 위치하며, 철 및 티탄이 포함된 광석의 염화반응이 이루어지는 제1염화반응부; 및상기 유동염화로의 하부에 위치하고, 상기 제1염화반응부로부터 공급된 산화티탄의 염화반응이 이루어지는 제2염화반응부;를 포함하며,상기 분산부는 상기 산화티탄을 분산된 형태로 상기 제2염화반응부로 이동시키는 것이고, 상기 제1염화반응부 및 상기 제2염화반응부는 유동염화로 내부에서 상하로 배치되고, 상기 제2염화반응부는 상기 제1염화반응부의 하단부와 연결되고, 상기 분산부에 의해 구획되는 사염화티탄 제조장치
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 제1염화반응부로부터 생성된 기상의 염화철을 응축시키고, 포집하는 제1응축부;를 더 포함하는 사염화티탄 제조장치
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 제2염화반응부로부터 생성된 기상의 염화티탄을 응축시키고, 포집하는 제2응축부;를 더 포함하는 사염화티탄 제조장치
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,철 및 티탄이 포함된 광석을 배소하여 상기 제1염화반응부로 공급하는 배소부;를 더 포함하는 사염화티탄 제조장치
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 제1염화반응부를 통해 상기 제2염화반응부로 환원제가 공급되고,상기 제2염화반응부를 통해 상기 제1염화반응부로 염소가 공급되는 사염화티탄 제조장치
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 제1염화반응부는,상기 광석의 염화반응이 이루어지는 제1반응기;상기 제1반응기의 상단부와 연결되며, 상기 제1반응기로 상기 광석 및 환원제를 공급하는 호퍼; 및상기 제1반응기의 온도를 제어하는 제1온도 조절기;를 포함하는 사염화티탄 제조장치
|
| 7 |
7
제6항에 있어서,상기 제2염화반응부는,상기 제1반응기의 하단부와 연결되고, 상기 산화티탄의 염화반응이 이루어지는 제2반응기;상기 제2반응기의 하단부와 연결되며, 상기 제2반응기로 염소 및 불활성 기체를 공급하는 가스 공급기; 및상기 제2반응기의 온도를 제어하는 제2온도 조절기;를 포함하는 사염화티탄 제조장치
|
| 8 |
8
제7항에 있어서,상기 제2염화반응부는,상기 제2반응기 및 상기 가스 공급기를 연통시키는 유동로; 및상기 유동로에 설치되는 조절 밸브;를 더 포함하는 사염화티탄 제조장치
|
| 9 |
9
제7항에 있어서,상기 분산부는,상기 제1반응기 및 상기 제2반응기의 연결이 이루어지는 연결영역에 배치되고, 회전 거동이 이루어지는 원형의 분산판;을 포함하는 사염화티탄 제조장치
|
| 10 |
10
제9항에 있어서,상기 분산판의 테두리 주변 영역에는 경사진 형태로 관통된 경사홀이 존재하고,상기 분산판의 상면에 형성된 상기 경사홀의 가스 입구는 상기 분산판의 하면에 형성된 상기 경사홀의 가스 출구보다 상기 분산판의 중심으로부터 먼 형태로 경사진 사염화티탄 제조장치
|
| 11 |
11
제2항에 있어서,상기 제1응축부는,상기 제1염화반응부로부터 생성된 기상의 염화철을 이동시키는 제1싸이클론; 및상기 제1싸이클론과 연결되며, 상기 염화철을 냉각시키는 제1응축기;를 포함하는 사염화티탄 제조장치
|
| 12 |
12
제3항에 있어서,상기 제2응축부는,상기 제2염화반응부로부터 생성된 기상의 염화티탄을 이동시키는 제2싸이클론; 및상기 제2싸이클론과 연결되며, 상기 염화티탄을 냉각시키는 제2응축기;를 포함하는 사염화티탄 제조장치
|
| 13 |
13
상하로 배치된 2단의 유동염화로를 이용한 사염화티탄 제조방법에 있어서,상기 유동염화로의 상부를 통해 철 및 티탄이 포함된 광석을 투입하고, 상기 유동염화로의 하부를 통해 염소를 투입하는 단계;상기 유동염화로의 상부에서 상기 광석을 염화반응시키는 단계;상기 광석의 염화반응으로 생성된 산화티탄을 분산된 형태로 하방으로 이동시키는 단계; 및상기 유동염화로의 하부에서 상기 산화티탄을 염화반응시키는 단계;를 포함하는 사염화티탄 제조방법
|
| 14 |
14
제13항에 있어서,상기 광석 및 염소를 투입하는 단계에서,상기 유동염화로의 상부를 통해 환원제를 함께 투입하는 사염화티탄 제조방법
|
| 15 |
15
제13항에 있어서,상기 광석을 염화반응시키는 단계에서,상기 광석의 염화반응 온도는 900 내지 1000℃인 사염화티탄 제조방법
|
| 16 |
16
제13항에 있어서,상기 광석을 염화반응시키는 단계 이후,상기 광석의 염화반응으로 생성된 기상의 염화철을 응축시키고, 포집하는 단계;를 더 포함하는 사염화티탄 제조방법
|
| 17 |
17
제16항에 있어서,상기 염화철을 응축시키고, 포집하는 단계에서,상기 염화철의 응축 온도는 300℃ 이하인 사염화티탄 제조방법
|
| 18 |
18
제13항에 있어서,상기 산화티탄을 염화반응시키는 단계에서,상기 산화티탄의 염화반응 온도는 900 내지 1000℃인 사염화티탄 제조방법
|
| 19 |
19
제13항에 있어서,상기 산화티탄을 염화반응시키는 단계 이후,상기 산화티탄의 염화반응으로 생성된 기상의 염화티탄을 응축시키고, 포집하는 단계;를 더 포함하는 사염화티탄 제조방법
|
| 20 |
20
제19항에 있어서,상기 염화티탄을 응축시키고, 포집하는 단계에서,상기 염화티탄의 응축 온도는 25℃ 이하인 사염화티탄 제조방법
|
| 21 |
21
제13항에 있어서,상기 광석을 염화반응시키는 단계 이전,철 및 티탄이 포함된 광석을 800℃ 내지 1100℃의 온도로 배소하는 단계;를 더 포함하는 사염화티탄 제조방법
|
