1 |
1
고융점 분말을 준비하는 단계;상기 고융점 분말을 분쇄하는 단계;상기 분쇄된 분말을 용매 및 분산제가 혼합된 용액에 투입 및 교반하는 단계; 및상기 교반된 용액을 플라즈마 용사기에 공급하여 탄소 함유 소재의 표면에 고융점 세라믹 코팅층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 고융점 분말을 분쇄하는 단계는, 고에너지 볼밀을 이용하는 것이고,상기 용매는, 물, 에탄올 및 무기용매로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하고,상기 분산제는, 폴리에틸렌이민(Polyethyleneimine; PEI), 폴리비닐알코올(Polyvinylalcohol; PVA) 또는 이 둘을 포함하고,상기 플라즈마 용사기의 하기 식에 의한 임계 플라즈마 공정변수(critical plasma spray parameter; CPSP)는 1000 내지 3000인 것인,고융점 세라믹 코팅층 형성 방법:[식]CPSP = 전압[V]×전류[A]/프라이머리 가스(Ar) 유량[SLM]
|
2 |
2
제1항에 있어서,상기 고융점 분말은, 융점이 3000 ℃ 이상인 것인,고융점 세라믹 코팅층 형성 방법
|
3 |
3
제1항에 있어서,상기 고융점 분말은, HfC, TaC, ZrC, HfB2, TaB2, ZrB2, HfN, TaN 및 ZrN로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인,고융점 세라믹 코팅층 형성 방법
|
4 |
4
제1항에 있어서,상기 고융점 분말을 준비하는 단계에서의 상기 고융점 분말의 입경은, 5 ㎛ 내지 50 ㎛인 것인,고융점 세라믹 코팅층 형성 방법
|
5 |
5
제1항에 있어서,상기 고융점 분말을 분쇄하는 단계는,상기 고융점 분말의 입경을 10 nm 내지 500 nm로 분쇄하는 것인,고융점 세라믹 코팅층 형성 방법
|
6 |
6
제1항에 있어서,상기 플라즈마 용사기는 진공 플라즈마 용사기인 것인,고융점 세라믹 코팅층 형성 방법
|
7 |
7
제1항에 있어서,상기 플라즈마 용사기는 30 Kwatt 내지 60 Kwatt의 전력을 출력 에너지로 사용하는 것인,고융점 세라믹 코팅층 형성 방법
|
8 |
8
제1항에 있어서,상기 플라즈마 용사기의 연료가스는 아르곤, 질소, 수소 및 헬륨으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인,고융점 세라믹 코팅층 형성 방법
|
9 |
9
삭제
|
10 |
10
제1항에 있어서,상기 고융점 세라믹 코팅층은 미세 스플랫이 적층된 치밀 세라믹층인 것인,고융점 세라믹 코팅층 형성 방법
|
11 |
11
탄소 함유 소재; 및상기 탄소 함유 소재 상에 코팅된 고융점 세라믹 코팅층;을 포함하는 내열소재로서,상기 내열소재는 제1항 내지 제8항, 제10항 중 어느 한 항에 따른 고융점 세라믹 코팅층 형성 방법에 의해 제조되는 것인,내열소재
|
12 |
12
제11항에 있어서,상기 탄소 함유 소재는, 탄화규소계 부정형 세라믹 재료, 탄소계 부정형 재료, 탄화규소를 포함하는 세라믹 매트릭스 복합재료 및 C/C 복합재료로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인,내열소재
|
13 |
13
제11항에 있어서,상기 고융점 세라믹 코팅층은, HfC, TaC, ZrC, HfB2, TaB2, ZrB2, HfN, TaN 및 ZrN로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인,내열소재
|
14 |
14
제11항에 있어서,상기 고융점 세라믹 코팅층의 두께는 5 ㎛ 내지 50 ㎛인 것인,내열소재
|
15 |
15
제11항에 있어서,상기 고융점 세라믹 코팅층은 미세 스플랫이 적층된 치밀 세라믹층인 것인,내열소재
|
16 |
16
제11항에 있어서,상기 고융점 세라믹 코팅층은 기공도가 1 % 이하인 것인,내열소재
|
17 |
17
삭제
|