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아크 방전법을 이용한 탄소나노튜브의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019018848
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 아크 방전법을 이용한 탄소나노튜브의 제조방법이 개시된다. 아크 방전시 분위기 가스는 질소 및 산소를 포함한다. 산소를 포함하는 분위기 가스에 의해 방전 영역 부근의 산소는 고온의 활성 산소로 변화되고, 비정질 탄소와 화학적으로 결합한다. 이를 통해 음극에서의 탄소나노튜브의 형성시, 비정질 탄소의 생성은 억제되어 높은 결정성이 확보될 수 있다.
Int. CL C01B 32/16 (2017.01.01) B01J 19/08 (2015.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020190031528 (2019.03.20)
출원인 세종대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0111795 (2019.10.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020180033650   |   2018.03.23
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.03.20)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 세종대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구 능동로 *** (군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이내성 서울특별시 양천구
2 신태훈 경기도 고양시 덕양구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2019-0283304-48
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.03.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0307070-12
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.07.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.09.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0129826-16
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0668778-00
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번호 청구항
1 1
음극 및 양극이 이격된 챔버 내에 합성 가스를 공급하는 단계; 및상기 음극 및 상기 양극에 전압을 인가하여 아크 방전을 발생시켜서 상기 음극 상에 탄소나노튜브를 합성하는 단계를 포함하고,상기 합성 가스는 질소 및 산소를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 합성 가스에서 질소 대 산소의 분압은 9
3 3
제1항에 있어서, 상기 합성 가스가 대기 중의 공기인 경우, 상기 챔버 내의 압력은 100 torr 내지 150 torr인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 합성 가스가 질소 및 산소로 구성된 경우, 상기 챔버 내의 압력은 80 torr 내지 150 torr인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브가 가지는 산화 피크 온도는 850℃ 이상인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브가 가지는 결정성 평가지수 IG/ID 는 30 내지 49의 값을 가지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 제조방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 음극 상에 탄소나노튜브를 합성하는 단계는,상기 아크 방전에 의해 발생된 전자가 상기 양극에 충돌하는 단계; 및상기 전자가 충돌되는 양극에서 탄소 이온 또는 탄소 입자가 상기 음극으로 이동하여 탄소가 증착된 탄소나노튜브 집합체가 형성되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 제조방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 탄소나노튜브 집합체는,비정질 탄소 덩어리가 뭉쳐진 상태의 쉘 영역; 및상기 쉘 영역으로 둘러싸이고 중심으로 갈수록 상기 탄소나노튜브가 높은 순도를 가지는 코어 영역을 가지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 제조방법
9 9
제7항에 있어서, 상기 탄소나노튜브는 상기 음극으로부터 먼 거리에 위치한 상기 탄소나노튜브 집합체의 말단에서 높은 결정성을 가지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 제조방법
10 10
제7항에 있어서, 상기 탄소나노튜브 집합체의 말단의 탄소나노튜브는 상기 아크 방전에 의해 전자를 양극으로 방출하고, 상기 탄소나노튜브 집합체 말단에는 탄소나노튜브가 고순도로 증착되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 제조방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 탄소나노튜브 집합체의 말단과 상기 양극은 일정한 거리를 유지하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 제조방법
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1 미래창조과학부 한국전자통신연구원(ETRI) 원천기술개발사업 고전류밀도 방출 CNT 전자 에미터 및 신뢰성 향상 기술 개발