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폴리에틸렌옥사이드를 포함하는 페로브스카이트 필름, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 광전자 소자

  • 기술번호 : KST2019018853
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본본 발명은 광전자 소자에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 100 nm 미만의 작고 균일한 크기의 페로브스카이트 결정 입자와 폴리에틸렌옥사이드 (PEO)가 포함되고 막의 밀도가 치밀하고 핀 홀이 없는 페로브스카이트 필름과 이의 제조 방법 및 이를 이용한 광전자 소자에 관한 것이다.
Int. CL C08J 5/18 (2006.01.01) B05D 1/00 (2006.01.01) B05D 7/24 (2006.01.01) B05D 3/00 (2006.01.01) C08L 71/02 (2006.01.01) C08K 3/16 (2006.01.01) H01L 31/032 (2006.01.01) H01L 31/0256 (2006.01.01)
CPC C08J 5/18(2013.01) C08J 5/18(2013.01) C08J 5/18(2013.01) C08J 5/18(2013.01) C08J 5/18(2013.01) C08J 5/18(2013.01) C08J 5/18(2013.01) C08J 5/18(2013.01) C08J 5/18(2013.01)
출원번호/일자 1020180032096 (2018.03.20)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0110300 (2019.09.30) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.03.20)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박철민 서울특별시 서초구
2 정범진 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김권석 대한민국 서울특별시 서초구 논현로**, B동 *층(양재동, 삼호물산빌딩)(아이피맥스특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2018-0278013-15
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.09.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.11.09 수리 (Accepted) 9-1-2018-0060584-15
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0624367-15
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2019-1072463-29
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.10.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-1072533-27
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2020.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0151238-86
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.04.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2020-0423952-78
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2020-0423930-74
10 등록결정서
Decision to grant		 2020.06.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0420086-75
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
100 nm 미만 크기의 α-상 결정 구조의 CsPbI3를 갖는 페로브스카이트 결정 입자와 상기 페로브스카이트 결정 입자의 표면 상에 보호막을 형성하는 폴리에틸렌옥사이드 (PEO)를 포함하는 페로브스카이트 필름
2 2
CsPbI3를 형성하기 위한 전구체와 폴리에틸렌옥사이드 (PEO)가 포함된 전구체 콜로이드 용액을 준비하는 단계;기판 상부에, 준비된 전구체 콜로이드 용액을 코팅하는 단계; 및코팅된 기판을 열처리하여 페로브스카이트 필름을 형성하는 단계를 포함하며,상기 페로브스카이트 필름은 100 nm 미만 크기의 α-상 결정 구조의 CsPbI3를 갖는 페로브스카이트 결정 입자와 상기 페로브스카이트 결정 입자의 표면 상에 상기 폴리에틸렌옥사이드 (PEO)로 형성된 보호막을 포함하는 페로브스카이트 필름의 제조 방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 전구체 콜로이드 용액은 금속 할라이드 페로브스카이트 전구체 중량 대비하여 폴리에틸렌옥사이드 (PEO)를 0
4 4
제 3 항에 있어서,상기 전구체 콜로이드 용액은 금속 할라이드 페로브스카이트 전구체 중량 대비하여 폴리에틸렌옥사이드 (PEO)를 1 내지 3 중량% 포함하는 페로브스카이트 필름의 제조 방법
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제 2 항에 있어서,상기 CsPbI3를 형성하기 위한 전구체는 CsI 분말과 PbI2 분말의 혼합물인 페로브스카이트 필름의 제조 방법
8 8
제 2 항에 있어서,상기 폴리에틸렌옥사이드 (PEO)는 중량평균분자량이 50 내지 200 kg/mol 범위인 페로브스카이트 필름의 제조 방법
9 9
제 2 항에 있어서,상기 전구체 콜로이드 용액은 비공유전자쌍을 포함하는 극성 용매를 포함하는 페로브스카이트 필름의 제조 방법
10 10
제 9 항에 있어서,상기 용매는 디메틸설폭사이드 (DMSO), 디메틸포름아미드(DMF), 테트라하이드로퓨란 (THF), 감마-부티로락톤(GBL), 아세톤 및 아세토니트릴로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 페로브스카이트 필름의 제조 방법
11 11
제 2 항에 있어서,상기 코팅은 20 ℃ 내지 3 0℃ 온도 범위에서 수행되는 페로브스카이트 필름의 제조 방법
12 12
제 11 항에 있어서,상기 코팅은 상온에서 수행되는 페로브스카이트 필름의 제조 방법
13 13
제 2 항에 있어서,상기 코팅은 스핀 코팅법에 의해 수행되는 페로브스카이트 필름의 제조 방법
14 14
제 2 항에 있어서,상기 페로브스카이트 필름 형성을 위한 열처리는 60 ℃ 내지 100 ℃ 범위에서 수행되는 페로브스카이트 필름의 제조 방법
15 15
삭제
16 16
제 2 항에 있어서,상기 페로브스카이트 필름은 1 nm 이상 100 nm 미만 크기의 α-상 CsPbI3 결정 입자와 폴리에틸렌옥사이드 (PEO)를 포함하는 페로브스카이트 필름의 제조 방법
17 17
100 nm 미만 크기의 α-상 결정 구조의 CsPbI3를 갖는 페로브스카이트 결정 입자와 상기 페로브스카이트 결정 입자의 표면 상에 보호막을 형성하는 폴리에틸렌옥사이드 (PEO)를 포함하는 페로브스카이트 필름이 적층되어 있는 광전자 소자
18 18
제 17 항에 있어서,상기 페로브스카이트 필름은 1 nm 이상 100 nm 미만 크기의 α-상 CsPbI3 결정 입자와 폴리에틸렌옥사이드 (PEO)를 포함하는 광전자 소자
19 19
제 17 항에 있어서,유리 기판 상부에 인듐 주석 산화물 (ITO) / 산화아연 (ZnO) / 폴리(에틸렌이민) (PEI) / α-상 CsPbI3 필름/ 폴리(4-부틸페닐디페닐아민) (poly-TPD) / W03 / Al가 순차적으로 적층되어 있는 광전자 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 연세대학교 산학협력단 중견연구자지원사업 사용자 상호작용 교류기반 디스플레이/센싱 소재 및 소자(1/3)(2017.03.01~2020.02.29)